MOS管在Cadence中仿真时，它的Vdsat是怎么得来的？

cheng2002520 · 发表于 2010-3-14 21:52:03

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如题，在一个模拟电路中，用Cadence对其进行仿真时，仿完后每个MOS管就会出现几个直流参数，其中的Vdsat应该是等于Vgs—Vth。可是把这几个值拿来一对应，又不对。请问这个Vdsat是怎么得来的啊？？？

cheng2002520 · 发表于 2010-3-14 21:58:13

大家别说是用公式根据工艺参数而算出来的啊！！！

lifengyang · 发表于 2010-3-15 00:19:51

恕我肤浅，应该等于吧，是不是你管子设置的问题，管子没有工作在饱和区？随着你仿真的corner变化vth也可能变化

cheng2002520 · 发表于 2010-3-15 09:12:46

当然是工作在饱和区啊，我使用的是chrt35工艺库的。

goodsilicon · 发表于 2010-3-15 09:23:01

恕我肤浅，应该等于吧，是不是你管子设置的问题，管子没有工作在饱和区？随着你仿真的corner变化vth也可能变化
lifengyang 发表于 2010-3-15 00:19

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如果是二阶模型，是相等的。但是仿真中通常用的不是二阶模型，而是bsim3v3,bsim4之类的高阶模型，所以，不相等也就不奇怪了。

简单的说，vdsat就是饱和区和线性区的分界点。在仿真时，就抛弃Vgs-Vth这个概念吧！

xiaowang0303 · 发表于 2010-3-15 10:02:32

model不一样，那肯定不相等啊，
相等时的模型只是用来手算的

pop_mos · 发表于 2010-3-15 10:38:40

5#应该是对的吧。
仿的时候看vds和vdsat的关系吧

zaq1xsw2 · 发表于 2010-3-15 13:37:13

楼主说的是长管期间的模型，现在亚微米时代，公式都有很大的修正，所以不等。

albtfoler123 · 发表于 2010-3-15 17:48:06

经过我和同事的分析一般认为这是由于速度饱和而引起。即当Vgs比较大时，MOS管已经趋于速度饱和，所以你会发现你仿出来的Vdsat会小于VGS-VT。（可以粗略的理解为，由于速度饱和，所以虽然你的VGS很大，但真正“有用”的VGS则没那么大）。在一般的应用中，Vgs不会取太大，一般为0点几伏，这样仿出来的Vdsat基本与Vgs-Vth差不多。

twfly · 发表于 2010-3-15 21:50:53

建议你去看RAZAVI的第17还是十八章

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