MOS管在Cadence中仿真时，它的Vdsat是怎么得来的？

qingyuanli · 发表于 2010-3-28 20:16:40

仿真时是用的是高阶模型，由于速度饱和引起两值不等，一般书上都是用的二阶方程，所以认为Vod=Vdsat

fbli1987 · 发表于 2010-3-28 21:56:00

《模拟设计精粹》一书里面第一章介绍MOS管时，提到一个参数n，在第7面

fccgfc · 发表于 2010-3-29 17:00:20

这个是由于速度饱和造成的吧？如果是长沟器件会好些？

jamelay · 发表于 2010-3-29 23:49:49

呵呵呵，看看

wfish · 发表于 2010-3-31 12:48:55

vdsat = vgs -vth or a little smaller

Young_W · 发表于 2010-4-14 14:16:51

1# cheng2002520

在长沟道模型里，应该是近似相等
在亚微米一下就不成立了，Vdsat可能比Vod大，也可能比他小，关键看管子的偏置点

hexudong · 发表于 2010-4-14 20:47:32

我觉得应该是相等的吧

tsai2 · 发表于 2010-4-16 22:15:21

1# cheng2002520

accroding to the w/l ratio you design

zqb · 发表于 2010-4-17 00:27:55

有一篇讲解过驱动电压不等于Vdsat的文档，你看看就知道了，短沟器件速度饱和

harry1862pd · 发表于 2010-4-21 15:12:49

chrt35

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