关于中芯国际0.18um工艺的问题

ipmsn5 · 发表于 2009-7-13 12:26:26

作开关的比较多，因为没有Vt，所以建立时间很短，尤其是那些Pre-Charege circuit,

海之子306916 · 发表于 2009-10-7 14:42:13

nmos的VTh之间关系: native<medium<normal. 根据需要选择

liutongi351 · 发表于 2010-5-7 09:30:31

有些不是很懂

ppppsilicon · 发表于 2010-5-7 11:38:18

因为native device是不同mask经过逻辑运算以后出来的，在process上需要多一道工序，但是不用新的mask。

不过这种mos leakage不小。

慎用
ipmsn5 发表于 2008-12-22 11:29

登录/注册后可看大图

请问：
阈值电压调整是在工艺中的哪一步？比如在0.13um的工艺中。
为什么native device 需要多一道工序？

crazy189 · 发表于 2010-6-1 02:30:22

看一下先~

topeeit · 发表于 2010-6-2 18:33:05

中心 good luck

fj198462 · 发表于 2011-1-5 11:08:48

谢谢分享!

a104842708 · 发表于 2011-1-5 11:38:48

挺高深！

jarywei · 发表于 2011-5-5 09:47:42

不错的分享

suzon · 发表于 2011-5-5 10:24:13

看LVS里面会有介绍管子怎么做的吧

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