把MOS當電容使用問題

kuan · 发表于 2006-11-2 18:57:25

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請問一下
有沒有人把MOS當作電容使用(操作在accumulation mode下)
電容值該如何simulation
如何套用model

kuan · 发表于 2006-11-2 18:58:36

抱歉再補問一個問題
就是body又該如何接
請高手解說一下
謝謝

semico_ljj · 发表于 2006-11-2 19:01:36

也想听听！

jiang330226 · 发表于 2006-11-2 19:40:34

源，漏，衬底都接地或电源，相当于多晶栅和有源之间形成上下极板，介质是中间的栅氧，我的理解！

kuan · 发表于 2006-11-3 08:25:31

抱歉喔
我不理解你說的方式
因為如果全接地或是電源
那何來的電位呢 C=dQ/dV的公式又要如何成立呢

semitao · 发表于 2006-11-3 09:27:44

berkeley 中的EE240教程中有讲的，可以去看一下

nesta · 发表于 2006-11-3 09:38:12

拿mos作电容，要考虑c-v特性，也就是说，电容值是压变的

tiffany · 发表于 2006-11-3 10:24:18

同意楼上说的是一个压变电容，不过在栅极电压高于阈值电压时，等效电容值是相对恒定的具体为CoxWL
如果要使工作在积累区，那NMOS的栅极就要加负电压，等效电容值也为CoxWL

[ 本帖最后由 tiffany 于 2006-11-3 10:31 编辑 ]

dustin.han · 发表于 2006-11-3 10:24:45

应该用小信号源来测

Designer · 发表于 2006-11-3 10:29:46

You put NMOS Cap. in Nwell, right?
Or you just NMOS in P-sub only?

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