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[求助] smic180bcd的hvbn要怎么做layout

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发表于 7 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏200资产未解决
本帖最后由 yurunji 于 2025-11-26 10:37 编辑

如题,电路里使用了N50_HVBN_CKT/N18_HVBN_CKT/P50_HVBN_CKT/P18_HVBN_CKT;但是同时简单的数字模块用的就是普通的p18_ckt/n18_ckt这种;看过工艺剖面图之后,我认为应该在hvbn的器件外加一圈hvbn的ring,我在工艺库找到了hvbn_pocket这个pcell,看起来是hvbn的ring,那么在这种设计时,是不是应该所有的hvbn器件各自加guardring,然后在最外面加一圈这个hvbn_pocket,其他非hvbn器件放在hvbn_pocket外面?(一个奇怪的点,当前我没有加hvbn_pocket;就是各自加各自的guardring,但是还是能过lvs,是rule有问题吗?)

hvbn_pmos_wi guardring.png
hvbn_pocket.png
hvbn_sch.png
发表于 7 小时前 | 显示全部楼层
理解的没错
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 楼主| 发表于 6 小时前 | 显示全部楼层


   
zly1006 发表于 2025-11-26 10:44
理解的没错


现在发现不加这个也能过lvs,我看symbol里没有hvbn这个端口,因为我以前做dnw的器件做法是最终加一个大的dnw把器件全包,但是如果没有dnw,lvs是有问题的,这个hvbn器件难道说只是加了hvbn ring性能更好,不加也不会出问题吗?

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发表于 6 小时前 | 显示全部楼层
本帖最后由 dcce 于 2025-11-26 11:22 编辑

你应该看看design rule,,

HVBN器件最大的区别是下面有HVBN的埋层,HVBN ring只是纵向接触到HVBN,保证HVBN有稳定电位,同时横向分割P衬底;

你使用非HVBN器件能过LVS,是因为你过LVS的时候,电路也是非HVBN器件,实际上如果你想做隔离的话,电路上就该用HVBN器件,然后建一个HVBN的cell用来跑DRC、LVS时候临时调用。你现在能跑过就是因为没用HVBN器件,同时没画HVBN,现在你正确的加上HVBN环之后反而可能跑不过了(应该是这样的,我不太确定),如果能跑过的话,说明DRC、LVS不检查非HVBN器件是否放在HVBN区域(可能也能跑过?我没试过,没用过这个工艺,其它工艺的经验)。。


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发表于 6 小时前 | 显示全部楼层


   
yurunji 发表于 2025-11-26 11:03
现在发现不加这个也能过lvs,我看symbol里没有hvbn这个端口,因为我以前做dnw的器件做法是最终加一个大的 ...


你的意思是电路的管子是带hvbn,版图不带hvbn,也能过lvs?

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发表于 3 小时前 | 显示全部楼层
电路和版图都要加hvbn的pocket,hvbn的ring只是相当于接触,需要各器件加个底,器件才能完全被hvbn隔出来
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发表于 2 小时前 | 显示全部楼层
pdk 里面有详细说明。18跟50的管子都能放到HVBN里面 为了更好的隔离噪声,跟管子类型没关系,不影响DRC,LVS
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发表于 2 小时前 | 显示全部楼层
同时电路加不加后缀n18_ckt 跟n18_hvbn_ckt 没关系,但是选了HVBN这种类型的管子,记着要在电路设计的时候,就要把寄生二极管的symbol 带上.
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发表于 半小时前 | 显示全部楼层
你看一下你lvs的layout的网表里这个器件被识别成哪种器件了。另外你去看下lvs的rule,里面有一些option的。不同的工艺这种情况的处理方法是不一样的
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