高压LDMOS进行大比例电流镜像时仿真和实际差距有多大？

傒苏

你的电阻PVT精度多少，你仿真PVT精度±5%，怎么仿真比我的好这么多

youngabin

   

renrensd 发表于 2025-11-9 22:00
共栅放大器长什么样？

就是常规的结构。
目前怀疑可能是5管尺寸给大了，5管的VG=VB-VGS(2)-VDS4。需要较大的压差才能使4管和2管饱和，而5管如果尺寸太大（VDS又很大）导致走100uA时VGS较小，二者冲突。可以增大5管L使正常输出100uA时VGS较大。
还有个可能就是5管的D直接接到VOUT是否会有问题，虽然理论上VOUT正常输出低压时，5管也就是VDS大点，能耐住压，但是怕模块进行开关、启动时VOUT节点是否会出现不正常电压。是否串联一个高压NMOS开关在5管和电阻之间，使VOUT固定在低压（目前其实是有接zener钳位VOUT不超过5V）。

youngabin

   

傒苏 发表于 2025-11-11 08:46
你的电阻PVT精度多少，你仿真PVT精度±5%，怎么仿真比我的好这么多

电阻是片外的，所以仿真用的理想电阻。仿真结果比+-5%还要好不少

vincentwjw

应该不至于偏这么多

锦绣贡士

我很奇怪为什么你的PVT会好这么多，按理说SS,FF,会正负偏差很大，都是需要trim电路来修正的，我们是做了电阻分组的形式来达到良好的线性度的，另外这个电路是有适用范围的，超过适用范围会偏的离谱，要看下它的极限在哪里

youngabin

   

锦绣贡士 发表于 2025-11-17 17:36
我很奇怪为什么你的PVT会好这么多，按理说SS,FF,会正负偏差很大，都是需要trim电路来修正的，我们是做了电 ...

电阻是片外的，仿真用理想电阻。理论上只要运放能钳位住，就纯看两个管子的复制。所以仿真的结果很好。

请问这个适用范围是指什么方面？电压裕度嘛？还是带宽

qinkun

没跑MC吗。MC结果是什么？

jojenwong

蹲个MC 结果