高压LDMOS进行大比例电流镜像时仿真和实际差距有多大？

youngabin

如题，小弟在项目中使用该结构对功率管进行电流采样，功率管为20V的nldmos，运放采用高压输入的共栅放大器。


设置电流比例为1A:100uA也就是一万倍。仿真中PVT全都比较精准，上下浮动不超过5%，应该也没有出现耐压问题。
但是测试结果极其不理想，几乎没有准度可言，相差近50%，且线性度也较差。
三端都钳位在同一电压，这个结构对于版图的一些寄生电阻电容啥的似乎并不那么敏感，至少不应该出现这么大差距。
想知道这种高压管尤其是LDMOS只能固定最小L，是不是本身复制电流的比例就难以预料？
想请教造成这么大偏差可能是什么原因呢？如果不考虑其他因素（运放钳位不准，版图位置没在一块，耐压出现问题等），10000倍比例的高压LDMOS电流镜实际上本身会有多大偏差？