SMIC 40nm BGP温度特性

lvxp

有版友用SMIC 40nm工艺【ULP/LL/FLASH  都行】投片实测的相关结果么？ 一般电压模传统结构的BGP仿真温漂一阶补偿，实测就是偏成正温度特性，差不多-40~85℃能单调增大30mV左右。

欢迎有实测经历的版友们沟通一下。

SkyWarding

如何保证是工艺的仿测偏差呢，你其他测试项仿测差距大吗

JiahuiShen

你是不是校准输出电压了，我之前就是因为校准把自己坑了，温漂很大

lvxp

   

JiahuiShen 发表于 2025-9-28 16:29
你是不是校准输出电压了，我之前就是因为校准把自己坑了，温漂很大

对 是有V-I-V 校准，仿真也能看到一点点校准开关on/off的温漂影响，基本可以忽略，但不至于像实测这么大。

JiahuiShen

   

lvxp 发表于 2025-9-28 16:33
对 是有V-I-V 校准，仿真也能看到一点点校准开关on/off的温漂影响，基本可以忽略，但不至于像实测这么大 ...

不知道你具体架构和校准方式，我提供一下我当时遇到的问题。假设Vbg=vbe+（vos+dvbe)*R1/R2，芯片实际出来Vos比较大导致Vbg偏大，这时你调节减小R1就会改变温漂。温漂这个东西很难讲，其他也有可能是因为你的功耗太低，或者有漏电，都有可能。具体问题具体分析

lvxp

   

JiahuiShen 发表于 2025-9-28 16:54
不知道你具体架构和校准方式，我提供一下我当时遇到的问题。假设Vbg=vbe+（vos+dvbe)*R1/R2，芯片实际出 ...

就传统电压模BGP电路，肯定不能动BGP内部电路的核心电阻 VOUT_BGP=delta_VBE* R2/R1+VBE，这样确实直接影响BGP输出电压温漂。

目前是对VOUT_BGP用VtoI buffer处理一下，电流镜像输出Iref，对VtoI的电阻串校准，这样基本不影响温度特性。

nanke

仿真有做全面吗？包括蒙特卡洛和校准。再就是有测过封装前后的电压变化吗？书上讲BJT封装前后特性会受影响。之前也碰到过封装前后不一样的现象。

nanke

校准前的常温电压不同芯片分布数据和蒙特卡洛仿真一致吗？