关于TSMC12nm1P8M6T SITE和Track的问题

六月飞霜

在网上看到6T指的是std cell的高度，也就是SITE的高度可以经过6条track，等于6*pitch，但是现在有两个疑问：
1. 在tech lef里看到SITE的高度是0.384，按照6T的工艺，一个pitch的宽度就是0.384/6=0.064，但是不管是M1还是M2的pitch都不是0.064，M1 pitch 0.096 0.048，M2 pitch = 0.048 0.048，在invs能更直观的看出来，一个std cell的高度是可以容纳8个pitch的，为什么说是6T？
2. 在lef里定义的M1的方向是vertical，M2的方向horizontal，感觉很疑惑，网上的说法是以M2的pitch为标准来衡量6T/7.5T等工艺，但是公司的前辈说应该按照最底层的绕线层为标准，那就是以M1为标准，但是M1的方向是vertical，难道要以0.048的水平方向M1的pitch为标准来衡量？反正不管是以M1还是M2，以什么方向来看，0.384的SITE在6T的工艺下对应的是0.064的pitch，lef文件里定义的pitch都是对不上的，这个要怎么解释？

不太方便把invs中测量的截图上传，会带有公司信息，各位大佬请见谅