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楼主: RF_IClearn

[讨论] 无片外电容LDO补偿以及瞬态响应增强

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发表于 3 天前 | 显示全部楼层


其实我在想,既然是capless的LDO,我之前设计的时候也没做好,我加了buffer就是想把EA输出分裂,但是又用cascode补偿,那不是又把EA输出推到低频位置去了?这岂不是很矛盾的事情?为啥不直接EA+功率管两级在加个米勒补偿,把主极点做死在EA输出的位置上?你觉得这样可行不
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 楼主| 发表于 前天 09:56 | 显示全部楼层


   
sityrer123 发表于 2025-9-25 09:28
其实我在想,既然是capless的LDO,我之前设计的时候也没做好,我加了buffer就是想把EA输出分裂,但是又用 ...


主要是capless的LDO,片内电容量级比较尴尬,在空载或者轻载的情况下,输出极点和OP极点很接近,另外这篇论文的话,主要是想参考他的瞬态响应增强的功能
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发表于 前天 11:09 | 显示全部楼层


   
RF_IClearn 发表于 2025-9-26 09:56
主要是capless的LDO,片内电容量级比较尴尬,在空载或者轻载的情况下,输出极点和OP极点很接近,另外这篇 ...


瞬态响应增强可以采用push-pull+buffer的结构,可以搜一下相关的论文,工程价值还不错
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 楼主| 发表于 前天 13:03 | 显示全部楼层


   
sityrer123 发表于 2025-9-26 11:09
瞬态响应增强可以采用push-pull+buffer的结构,可以搜一下相关的论文,工程价值还不错 ...


好的谢谢
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