带隙基准电路高阶温度补偿

我是只小菜坤

                               
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我用的是tsmc18的库，上面是我原本低阶带隙的前仿结果，上面第一张是我后面打算用的架构，第三张图是我原本用的架构，tt工艺角的温漂甚至可以到1.1。但为什么我加上这两个补偿电阻之后温漂始终比原来高呢？我之前听人说R4的电阻需要小于R2的电阻，但参数扫描发现如果R4从小到大，则温漂会呈下降的趋势（相当于R4的存在只会使得温漂升高）。所以我想问是我调的方法有问题吗（我是先将低阶带隙调至最佳再加上那两个电阻），还是说在加入两个大小为R4的电阻之前要把R2与R1的大小改变一下？抑或是说我的方法没问题，只是说如果要让高阶温度补偿有效，R4的区间范围很小（比如在几欧的范围内温漂突然变小而后突然变大）？

我是只小菜坤

没带过附件，说错了，应该说下面第一张和下面第三张