关于采样开关的线性度问题！！！

kanjie

   

chungming 发表于 2025-9-10 01:22
may be due to charge-injection

感谢回答
一开始我有想过是这个原因，但是通过对比发现，同等条件下，栅压自举的线性度高于传输门，而传输门的沟道电荷注入是一定小于栅压自举的，说明导通电阻对线性度的影响占大头。
那么，对于传输门来说，增大W，导通电阻是减小的，沟道电荷注入是增加的，此时又变成了沟道电荷注入的影响占大头，这就和上面的结论矛盾了，不知道我这么考虑是否合理呢？

把猪拿过雷雷

   

kanjie 发表于 2025-9-10 09:20
感谢回答
一开始我有想过是这个原因，但是通过对比发现，同等条件下，栅压自举的线性度高于传输门，而传输 ...

沟道电荷和栅源电压线性相关，栅压自举开关的沟道电荷，所以电荷注入引入的误差是恒定的，和输入无关，类似于失调误差，cmos引入的是非线性误差

kanjie

   

把猪拿过雷雷 发表于 2025-9-10 17:58
沟道电荷和栅源电压线性相关，栅压自举开关的沟道电荷，所以电荷注入引入的误差是恒定的，和输入无关，类 ...

噢对！栅压自举的电荷注入是恒定的。
再请教下，对于cmos或单个nmos管来说，增大W，导通电阻是减小的，沟道电荷注入是增加的，ENOB是降低的，是不是就可以说明电荷注入对线性度的影响大于导通电阻？

把猪拿过雷雷

   

kanjie 发表于 2025-9-10 20:06
噢对！栅压自举的电荷注入是恒定的。
再请教下，对于cmos或单个nmos管来说，增大W，导通电阻是减小的，沟 ...

cmos开关线性度不好是主要因为导通电阻随输入变化，有限导通电阻应该是主要是驱动能力或者是建立误差的问题吧，不过有限导通电阻确实也是非线性的问题，后面那个说法感觉没问题

kanjie

   

把猪拿过雷雷 发表于 2025-9-10 22:43
cmos开关线性度不好是主要因为导通电阻随输入变化，有限导通电阻应该是主要是驱动能力或者是建立误差的问 ...

所以，这里是不是存在速度和线性度之间的折中关系呢？（想要速度，导通电阻就得小，W就得大，电荷注入也就大了，线性度就下降了）

kanjie

补充：更奇怪的是，同尺寸单个nmos和传输门相比，跑出来的ENOB居然是nmos高，这是为啥啊？  （输入摆幅控制在nmos以内，并且传输门的np管比例是ok的，有马鞍曲线）

kanjie

求助求助！！！

迷路大脸猫

增加采样时间看看？看看是不是电容大了，稳定需要的时间不够了。

kanjie

   

迷路大脸猫 发表于 2025-9-11 14:33
增加采样时间看看？看看是不是电容大了，稳定需要的时间不够了。

cmos阻抗小于单个nmos，建立时间更充分，但是ENOB确降低了