关于采样开关的线性度问题！！！

kanjie

我用栅压自举开关做dft分析，仿真采样的线性度时，发现：当增加输出级的开关管（M14）的宽长比时，ENOB逐渐降低。

当m=1时，ENOB=19.4；当m=4时，ENOB=17.6；当m=8时，ENOB=15.5；当m=16时，ENOB=14.3。

同样的，我尝试用单个nmos管或传输门做开关时，也得到了同样的结论。

按我个人的理解，当宽长比增加时，单个nmos管或传输门的导通电阻是变小的，理论上来说这是有利于线性度的。

那么，究竟是什么原因导致了这样的结果呢？

schemetic，testbench，m=1时的spectrum，分别如下图

把猪拿过雷雷

自举电容变了吗？开关管寄生会对自举的电压有影响

Jatin12312

I also observed the same thing. I never understood.

kanjie

   

把猪拿过雷雷 发表于 2025-9-9 20:28
自举电容变了吗？开关管寄生会对自举的电压有影响

您好
电容没变，唯一变量就是宽长比
您分析的确实有道理，但电容是3pF，我感觉开关管的寄生占比应该比较小，等我再加大电容仿仿看哈

ADC_coco

你这个都没有相干采样吧

kanjie

   

ADC_coco 发表于 2025-9-9 20:54
你这个都没有相干采样吧

请讲，是哪个参数设的不对吗

ADC_coco

   

kanjie 发表于 2025-9-9 21:00
请讲，是哪个参数设的不对吗

大概就是N/fs=M/fin，N是采样点数，M是一个质数，满足相干采样

kanjie

   

ADC_coco 发表于 2025-9-9 21:04
大概就是N/fs=M/fin，N是采样点数，M是一个质数，满足相干采样

了解，我设的应该没问题，fs设置的虽然是2M，但dft时，sample fre=2M/20=100k，您可以算一下

chungming

may be due to charge-injection

kanjie

感谢回答
一开始我有想过是这个原因，但是通过对比发现，同等条件下，栅压自举的线性度高于传输门，而传输门的沟道电荷注入是一定小于栅压自举的，说明导通电阻对线性度的影响占大头。
那么，对于传输门来说，增大W，导通电阻是减小的，沟道电荷注入是增加的，此时又变成了沟道电荷注入的影响占大头，这就和上面的结论矛盾了，不知道我这么考虑是否合理呢？