BCD process 高压LDO 内补偿电容

peterlin2010 · 发表于 2025-8-6 19:17:13

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本帖最后由 peterlin2010 于 2025-8-6 19:26 编辑

BCD process 高压LDO 内补偿电容 ,

因 mimcap 耐压不够 , 要如何?

> 30v LDO

mom cap ???

Input_Up_to_100-V_High_Voltage_LDO_Based_a_Novel_Pre-Regulation_

雪岩 · 发表于 2025-8-6 21:36:03

看看mom，或者是特殊工艺

zhanweisu33 · 发表于 2025-8-7 08:30:42

如果是我，我会选择先把高压降下来，比如你的图2，再考虑电容承压的问题

ericking0 · 发表于 2025-8-7 14:42:05

这种regulator，我比较倾向于PESR，补偿电容在低压侧，而且面积不大，几个pF就够了；

peterlin2010 · 发表于 7 天前

ericking0 发表于 2025-8-7 14:42
这种regulator，我比较倾向于PESR，补偿电容在低压侧，而且面积不大，几个pF就够了； ...

not pre_regulator .

high volt input 50v , high voltage output LDO 20~40v
current > 500ma

external cap , not capless

ericking0 · 发表于 7 天前

本帖最后由 ericking0 于 2025-8-8 08:16 编辑

peterlin2010 发表于 2025-8-8 06:48
not pre_regulator .

high volt input 50v , high voltage output LDO 20~40v

PESR的就是对cap-couple结构的啊；
不过你这个指标蛮别致的，高压输出，压差也大，还有这么大电流输出，20V/500mA就10W了，感觉把bypass管放外面也要上鳍片散热了吧？
这种还是上buck吧；
另外用高压mom的时候，可能要注意一下上极板的对SUB寄生电容，很多工艺没有model这个；

peterlin2010 · 发表于前天 06:46

ericking0 发表于 2025-8-8 08:14
PESR的就是对cap-couple结构的啊；
不过你这个指标蛮别致的，高压输出，压差也大，还有这么大电流输出，20 ...

PMIC SOC CHIP

20V/500mA就10W了
=> boost PWM 20 + diode  drop
LDO output 20v 500ma  , dropout small

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