两种电源电压模式下输出同样的电压

youngabin

   

小磊IC 发表于 2025-8-11 16:58
非常感谢您的回复，我去尝试一下看看这个方案行不行

这个受温度和工艺角影响肯定很大，可以的话还是做个简易的BG类似于这种形式的或者更简单的结构

小磊IC

   

youngabin 发表于 2025-8-11 17:02
这个受温度和工艺角影响肯定很大，可以的话还是做个简易的BG类似于这种形式的或者更简单的结构
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您画的这个，2~4V的电压是接到我图中那个NMOS的S端吗，我现在是直接在NMOS支路的下方加一个二极管的MOS，您为什么要这样设计嘞

小磊IC

   

youngabin 发表于 2025-8-11 17:15
BG形式更准些，二极管接法容易被温度之类的影响。

好的，明白了，我理解您画的图是比较简单的一个偏置产生1.2V

小磊IC

youngabin 发表于 2025-8-11 17:02
这个受温度和工艺角影响肯定很大，可以的话还是做个简易的BG类似于这种形式的或者更简单的结构
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仿真结果的紫色的线是，电路中右边红色箭头指的输出1.2V的线

我按照您的画法搭了一下，我发现结果中紫色的线输出的变化范围还是很大429mV（我电源从3.1V扫描到11V）

youngabin

   

小磊IC 发表于 2025-8-11 17:40
youngabin 发表于 2025-8-11 17:02
这个受温度和工艺角影响肯定很大，可以的话还是做个简易的BG类似于这种 ...

你先把不需要的电阻删掉，我看看各器件参数，应该是电流镜部分不稳定

小磊IC

   

youngabin 发表于 2025-8-11 17:48
你先把不需要的电阻删掉，我看看各器件参数，应该是电流镜部分不稳定

好的

youngabin

   

小磊IC 发表于 2025-8-11 17:52
好的

左边的是不需要的，右边的是要的。还有我看的是器件尺寸之类的，不是这个DC电压电流。输出就是VGS+IR，你把电流源调试稳定就行了。

只看TT和常温应该不难调试。

小磊IC

   

youngabin 发表于 2025-8-11 17:57
左边的是不需要的，右边的是要的。还有我看的是器件尺寸之类的，不是这个DC电压电流。输出就是VGS+IR，你 ...

明白，但这个电流源您是指的接齐纳的NMOS吧，我扫了一下NMOS从3.1~11的电流，是从4u变化到21u的，我不太理解，这个电流调稳是指的什么

小磊IC

   

youngabin 发表于 2025-8-11 17:57
左边的是不需要的，右边的是要的。还有我看的是器件尺寸之类的，不是这个DC电压电流。输出就是VGS+IR，你 ...

这个是器件参数

youngabin

   

小磊IC 发表于 2025-8-11 18:05
这个是器件参数

这是与电源无关的电流源，你先按拉扎维上的把这个调成电流基本不随电源变化吧，。，
一般情况下方的两个NMOS应该是接电阻的NMOS宽长更大才对，经验值是4倍，形成一个deltaVGS
你这两个NMOS尺寸完全相等，VG又相等，但是VS又不等，看上去不是很合理