tsCreateDiffusionL函数调用，pcellEvalFailed

我是只小菜坤

报错如下：
*WARNING* (DB-270001): Pcell evaluation for tsmc18/nmos5v/layout has the following error(s):*WARNING* (DB-270002): ("tsCreateDiffusionL" 0 t nil ("*Error* tsCreateDiffusionL: too many arguments (14 expected, 15 given)" (db:0x2084b29a "S" 1.48 0.45 "DIFF" -0.385 0.04 0.37 t (-0.48 0) 0.23 "METAL1" "CONT" -0.06 1)))*WARNING* (DB-270003): Error kept in "errorDesc" property of the label "pcellEvalFailed" on layer/purpose "marker/error" in the submaster.

函数调用时传递了过多的参数（期望 14 个参数，但实际传递了 15 个）。这导致了 Pcell 评估失败，进而引发了 错误。
器件显示白色的pcellevalfailed，我用的这个库是tsmc18的库，之前用的时候都没问题，画版图也没问题但现在(不知道是不是因为安装了tsmc18rf的库的原因)，tsmc18库里所有mos器件全部都是这样。但bjt，电阻等没问题

我是只小菜坤

同一张版图，突然就成这样了，请大佬们帮忙看看，交流交流

陈腾腾

是你说的原因，把另外一个库删了就好了。初始化调用工艺库信息出错了

陈腾腾

尽量不要一个项目下，装两个工艺库

我是只小菜坤

解决了，我直接就在cds.lib下把那个rf的用#注释了,感觉同种工艺的射频和模拟库不能同时定义