关于tsmc n28hpcp 工艺sign-off OCV的一些疑问

lokoen

如图，刚入行的菜鸡一个，这里有两个问题：
第一个问题是，我对图内 "cell voltage/temperature OCV" 这一列的理解是芯片上随着温度、电压的变化会有一个ocv的修正值，我个人认为这个ocv是关于derate的值，但是同组有小伙伴提出可能是 jitter/uncertainty 的修正值。想确定一下这个OCV具体是什么的值。

第二个问题是，在Cell Process OCV这一栏内，hold有两个uncertainty (+50ps/+40ps)，但是在我的理解里貌似同类uncertainty设置会被覆盖，新的覆盖掉旧的，那我应该怎么设置这个uncertainty呢？以及，这两个uncertainty是对应两个library_set的，那我是不是应该在MMMC文件里设置？
希望大佬们帮忙解惑，感激！

Lover_Momo

cell voltage/temperature OCV 是叠加cell的derate来计算的。
PR Flow中innovus工具的时候，设置一个合理的值就行。等到PT的时候，各个Session PVT 单独设置就可以了。

lokoen

   

Lover_Momo 发表于 2025-7-23 21:37
cell voltage/temperature OCV 是叠加cell的derate来计算的。
PR Flow中innovus工具的时候，设置一个合理的 ...

原来如此，感谢大佬解惑
想再追问一个问题，按照您的表述，是不是说innovus的时序报告仅供参考，实际时序以PrimeTime为准？

niezheyu

   

lokoen 发表于 2025-7-24 11:36
原来如此，感谢大佬解惑
想再追问一个问题，按照您的表述，是不是说innovus的时序报告仅供参考，实际时序 ...

可以这么理解  innovus只是个绕线工具，最终的时序signoff还是要以timing signoff工具为准

lokoen

   

niezheyu 发表于 2025-7-25 13:45
可以这么理解  innovus只是个绕线工具，最终的时序signoff还是要以timing signoff工具为准
...

明白了，非常感谢解答！