HV level shift转换过冲问题

IC_Ry.Chow

大佬们，关于30V(High Level)/25V(Low Level)转换成-10V(High Level)/-5V(Low Level)电平转换，当信号输入下降沿输出出现较高的电平，且较长时间才泄放，有什么解决方案吗？

peterlin2010

1. 中间卡ldmos size 缩小

2. 转到负压那  用 zener diode 去

另外 向ldmos 在BCD 卡电位 , 很多会 depletion nmos 产生小 电流源 ,

IC_Ry.Chow

   

peterlin2010 发表于 2025-7-10 06:47
1. 中间卡ldmos size 缩小 2. 转到负压那  用 zener diode 去  另外 向ldmos 在BCD 卡电位 , 很多会 deplet ...

hello，感谢您的回复，我这边中间的HV nmos就算调到倒比管，作用不是特别明显，在这两个管子的S,G端反偏一个二极管是可以的，但过冲还在，输出电压将近-5V，稳定后-7V左右。将下面LV nmos尺寸增大是可以消除过冲的，但这样的话在high side时会有一个贯穿电流平台，出现中间电平。

IC_Ry.Chow

   

peterlin2010 发表于 2025-7-10 06:47
1. 中间卡ldmos size 缩小 2. 转到负压那  用 zener diode 去  另外 向ldmos 在BCD 卡电位 , 很多会 deplet ...

请教一下，这个过冲或者充电充这么高的原因是什么哇

peterlin2010

   

IC_Ry.Chow 发表于 2025-7-10 09:56
请教一下，这个过冲或者充电充这么高的原因是什么哇

maybe parastic junction Cap .

small LDMOS size will improve

peterlin2010

   

IC_Ry.Chow 发表于 2025-7-10 09:44
hello，感谢您的回复，我这边中间的HV nmos就算调到倒比管，作用不是特别明显，在这两个管子的S,G端反偏 ...

HV nmos :  use BCD nLDMOS

L use fixe length
w use small width

IC_Ry.Chow

   

peterlin2010 发表于 2025-7-10 18:50
HV nmos :  use BCD nLDMOS

L use fixe length

换成fixed L HV nmos且将size减到最小好像也效果不大，看上去不太像是该节点寄生电容带来的影响

                               
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IC_Ry.Chow

   

peterlin2010 发表于 2025-7-10 18:50
HV nmos :  use BCD nLDMOS

L use fixe length

换成fixed L HV nmos且将size减到最小好像也效果不大，看上去不太像是该节点寄生电容带来的影响

IC_Ry.Chow

   

peterlin2010 发表于 2025-7-10 18:50
HV nmos :  use BCD nLDMOS

L use fixe length

NM5,NM6偏置点使得这两个管子的VGS=4V就ok了，我原来设置的1.5V左右，不清楚原理是什么，感谢您的建议！

peterlin2010

-10V(High Level)/-5V(Low Level)电平

you need   -10 ~  -5v  clamp ,   mn3 mn4 use  5v vgs

use zener +ldmos clamp