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如题,以光注入为例,
问题一:寿命t是指从停止光照开始到非平衡载流子减少到原来1/e的时长吗?
问题二:对N型半导体来说,如图一公式中的最后一项指的应该是复合率,而不是净复合率吧?但为什么书上还给出了这个(5-17)公式(图二)?
问题三:图一公式里的G产生率是不是包含了(直接复合的)g+(间接复合中复合中心能级的发射电子、发射空穴两个过程)snt+s(Nt-nt)
问题四:在间接复合过程求净复合率时,多次利用了稳态时复合中心能级上电子数目不变的结论,那请问根据稳态时的情况推出来的净复合率U是不是一直为0?
问题五:在稳定的外界作用下,载流子的产生复合达到新的平衡,此时还叫非平衡状态吗?我们推导的净复合率、载流子寿命、扩散电流、爱因斯坦关系式是不是都是指达到新平衡之后的性质?或者说,在载流子浓度随时间变化的不稳定区域,那些公式能用呢?
不必全部答完!小东西感谢大佬了!!!受小弟一拜!
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