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关于工艺问题

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发表于 2008-3-6 00:10:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问高压工艺和普通工艺有什么区别,都在哪些方面?除了tox不一样,vth不一样,还有……
望各位兄弟,不管是路过的还是特地进来的,都帮忙解答一下,谢谢了。
发表于 2008-3-6 17:55:23 | 显示全部楼层
我知道好像源区的注入也是不一样的
发表于 2008-3-6 20:18:00 | 显示全部楼层
还有源区之间的间隔比较大。
发表于 2008-3-10 23:17:11 | 显示全部楼层
高压电路的匹配性没有低压电路好
发表于 2008-3-11 09:17:59 | 显示全部楼层
高压工艺通常采用Triple-Well结构
而普通CMOS工艺则采用Twin-Well或者NWell / PWell结构。
为了忍受高压,在工艺上则需采用一些比较大的DC rule.
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