关于工艺问题

wwjghcy · 发表于 2008-3-6 00:10:44

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请问高压工艺和普通工艺有什么区别，都在哪些方面？除了tox不一样，vth不一样，还有……
望各位兄弟，不管是路过的还是特地进来的，都帮忙解答一下，谢谢了。

stormknight · 发表于 2008-3-6 17:55:23

我知道好像源区的注入也是不一样的

piao · 发表于 2008-3-6 20:18:00

还有源区之间的间隔比较大。

circe · 发表于 2008-3-10 23:17:11

高压电路的匹配性没有低压电路好

LTC · 发表于 2008-3-11 09:17:59

高压工艺通常采用Triple-Well结构
而普通CMOS工艺则采用Twin-Well或者NWell / PWell结构。
为了忍受高压，在工艺上则需采用一些比较大的DC rule.

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