在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 546|回复: 7

[原创] 更加实用的guardring制作记录

[复制链接]
发表于 2025-4-22 11:32:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
出于对从事版图的经验进行整理的目的,打算记录一些从项目的准备工作,到一些常用模块的版图画法。毕竟,好记性不如烂笔头,记录下来的还可以和大家相互交流,希望大家看到有问题的地方直接评论。由于是想到哪里就从哪里开始的,本期先记录Guardring的相关制作吧,下一期可能会写display、bindkey的整理。后面应该会记录OP,BGR等版图的流程了。  好了,超长前摇结束,开始!
 楼主| 发表于 2025-4-22 11:33:52 | 显示全部楼层
Guardring画法
1.了解GuardRing
主要有两种GuardRing,一个是P型 GuardRing(环在N管周围),一个是N型 GuardRing(环在P管
周围),N型 GuardRing会比P型 GuardRing多一层NW,所以我们首先先做P型 GuardRing,后续基
于N型 GuardRing再来制作P型 GuardRing,然后基于单排孔来制作多排孔
了解层次
P型 GuardRing:
AA:有源区,作为GuardRing的基底,主要是设置对应宽度就行
CT:通孔,用Subrectangle创建,主要设置通孔的长宽、通孔之间的间距以及边缘到AA之间距离
M1:金属1,用Offset subpath创建,主要设置M1的宽度
P型:P型注入,用Offset subpath创建,主要设置P型的宽度以及到AA之间距离
N型 GuardRing:
其他的同上
N型:N型注入,用Offset subpath创建,主要设置N型的宽度以及到AA之间距离
NW:N阱,用Offset subpath创建,主要设置NW的宽度以及到AA之间距离
总结:P型guardring总共4个层次,N型guarding共5个层次,多了一个N阱
 楼主| 发表于 2025-4-22 11:34:38 | 显示全部楼层
2.制作Guarding (工艺T28 1P10M)
Guarding的样式多种多样,可以根据设计师的需求自行更改,但仍旧需要遵循基本的设计规则,
这里根据经验设计最普通的Guarding
①首先,采用virtuoso中的Multipart path工具制作,以有源区作为基底,在不同的工艺有源区的名
称不同,可能为AA、Diff、OD等等
②创建Multipart Path,定义Template name,首先制作P型Guard ring,命名为PGuardring,取消
勾选Choppable,使制作的guardring变为不可切割的,设置Width为0.11。(这个宽度设置根据
工艺决定,需要考虑的是Guarding向上下的分别连接,向下的contact 孔较小,向上的是M1到
M2的VIA1孔,可以采用手动打孔O,设置打一个竖列的VIA双孔,观察最小宽度,本次设置采用
的是T28工艺,VIA1孔的最小宽度为0.11um,因此,也设置有源区的宽度为0.11um),这里补
充一下,Gurrdring中一般M1和有源区层次一般设计冲重合的,所以,有源区的宽度根据手动打
孔的VIA1和CT孔的较大值确定,确保Guardring能够更加方便的外加电位的同时,也尽量的取到
了相对的最小值,以节约面积
③设置如上之后,基底的设置已经完成,接下来点击Subpart,添加其余的层次,首先添加M1,找
到Layer中的金属1层次,选择为Enclosure path,其余两项offset和Enclosure设置为0即可,使
M1和有源区重合,点击add,添加上设置好的M1层次
④第二层次的设置为PP,也就是P型的注入区域,这个区域一般要包围有源区,因此,Enclosure
的设置需要根据工艺设置合适的包围量,这个包围的数值一般稍微大于设计规则允许的最小值,
一般可以在design rule中可以找到(或者是根据pdk中的默认guardring中的设置,这里设置
为-0.03),根据pdk中的设置,pp对有源区的包围设置为-0.03(负号是说明pp层次是反过来
包围有源区的,begin和end offset设置为0,因为这个将会画成一个环的形状最后会重合,所以
这里无需设置,最后点击add添加pp层次
⑤最后需要添加的是其中的CT孔,勾选subrectangle,找到CT孔层次,首先设置CT孔的属性,
手动打孔可以获取相关属性,首先定义CT孔的长宽和间距,其中长宽为0.04的矩形,间距为   
0.085,由于一般只取到小数点后两位,此处取整设置为0.09;然后是设置偏移量offset,也就是
距离边界的距离,这里取间距Space的一半,设置为0.045即可(这也是前面间距取0.09的原因
如果前面取0.085,这里的取值会出现无法设置,版图最高支持0.005的最小精度)。那么设置
begin和end offset均为-0.045,负号表示向内偏移。最后,勾选上choppable,点击add添加上
 楼主| 发表于 2025-4-22 14:04:31 | 显示全部楼层
以上,是一个P型的Guardring的通用模板,相关数值根据工艺确定即可,但是这个Guardring并不是
通用的,在很多地方,还需要别的类型的接地线,比如①PGuardring-S,S代表分离的,不围成环状
的Guardring,和上述相比需要更改的地方为:需要将pp层次的包围的begin和end偏移量设置为与包
围的数值相等,保证前后都能通过设计规则的包围
②双排孔的Guardring,PGuardring-2,与通用模板的单排孔相比,双排孔的Guardring的电位钳制
能力更强,适用于大面积mos管的包围,首先是有源区的宽度更宽,这个宽度的设置计算应该是通
用模板的有源区宽度+一排CT孔的宽度+CT孔的间距=0.11+0.4+0.9=0.24。而M1和PP层次不用更
改,因为都是设置的相对包围量,会自动根据有源区的宽度调整。而CT孔 的设置则需要改动,首
先需要增加一排孔,然后将两排孔的Separation值设置为±0.065,这个值的计算应该是CT孔的间
距/2+孔宽度/2=0.045+0.02=0.065,而正负值则代表分别将两排孔分为上下偏移的量。据此,则
设置好了相对应的两排孔Guardring。
 楼主| 发表于 2025-4-22 14:06:07 | 显示全部楼层
P型Guardring的设置如上,需要更宽的多排孔的按照单排改为双排的设置依次累加即可。剩余
的N型Guardring大致上与上述都相同,只是额外的增加了一个NWell的层次。
①通用NGuardring:在Enclosure Subpath中添加NWell,保围量则是改为工艺中合适的数值,在
本次设置工艺中,NWell的最小宽度为0.24,那么相对于0.11的有源区宽度来看,包围量应该是
0.13/2,为了取整,这个值取0.07即可,点击add添加,pp层次改为np层次,这就是NGuardring了
②NGuardring-S:在以上的基础上,将Enclosure Subpath中的NWell的begin和end偏移量从0改为
0.07,同理NP的偏移量改为0.03,即可画一条独立的接电源电位的Guardring。
③NGuardring-2,同上,添加一排CT孔 ,相关量也同上即可
发表于 3 天前 | 显示全部楼层
顶顶顶
发表于 4 小时前 | 显示全部楼层
本帖最后由 大头的小论坛 于 2025-4-30 11:10 编辑

支持一下,楼主可以试试FGR,也蛮好用的,而且方便
发表于 2 小时前 | 显示全部楼层


大头的小论坛 发表于 2025-4-30 11:03
支持一下,楼主可以试试FGR,也蛮好用的,而且方便


前提是PDK 设置有,不然需要自己去定义,自己定义的话需要有修改PDK的权限
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-4-30 15:51 , Processed in 0.022486 second(s), 6 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表