关于复旦二级运放的偏置电路版图问题

lanfumei

文件里说的：偏置电路由 M8~M13 构成，其中包括两个故意失配的晶体管 M12 和 M13，电阻 RB串联在 M12 的源极，它决定着偏置电流和 gm12，所以一般为片外电阻以保证其精确稳定。那是不是就是说要用理想库的电阻呢？可是这样的话应该就没办法画这个偏置电路的版图了吧！如果用工艺库的电阻的话受pvt的影响应该蛮大的，也影响我的指标有些不达标。所以现在想请教一下该怎么办！！

Shuralee

做电路就是要考虑PVT的，你这个运放就是得cover PVT

lanfumei

Shuralee 发表于 2025-4-21 13:39
做电路就是要考虑PVT的，你这个运放就是得cover PVT

谢谢！请问是必须用工艺库的电阻替代了吗，这个电阻受pvt波动有点大

Shuralee

lanfumei 发表于 2025-4-21 23:41
谢谢！请问是必须用工艺库的电阻替代了吗，这个电阻受pvt波动有点大

是的，这么点儿运放不可能还拉个pad出来用别的电阻。工艺库里的电阻也有很多种类型，你可以尽量选点温度偏差小的，至于ss ff工艺角，还是要cover到，可以做个trimming，这也是实际用用中很常见的方式。

lanfumei

Shuralee 发表于 2025-4-22 13:40
是的，这么点儿运放不可能还拉个pad出来用别的电阻。工艺库里的电阻也有很多种类型，你可以尽量选点温度 ...

请问可以具体请教一下这个trimmming怎么弄嘛？感谢！麻烦你了

lanfumei

Shuralee 发表于 2025-4-22 13:40
是的，这么点儿运放不可能还拉个pad出来用别的电阻。工艺库里的电阻也有很多种类型，你可以尽量选点温度 ...

请问这个运放是要多花点时间调，还是直接做trimming比较好呀？

Shuralee

lanfumei 发表于 2025-4-25 16:59
请问可以具体请教一下这个trimmming怎么弄嘛？感谢！麻烦你了

首先，你可以选用温度系数好的电阻把T的变化先稳下来，其次，针对corner的变化你做一些开关option，比如ss corner流片出来电阻大了，你要能减去大的部分，ff小了，就补上，仿个PVT看看变化多少，一般是修个+-30%，用个几bit的efuse或者寄存器。

Shuralee

lanfumei 发表于 2025-4-27 21:57
请问这个运放是要多花点时间调，还是直接做trimming比较好呀？

这个运放其实不是很难，直接调也能调出来，直接调肯定更利于你学习成长

lanfumei

Shuralee 发表于 2025-4-30 16:27
这个运放其实不是很难，直接调也能调出来，直接调肯定更利于你学习成长
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谢谢您！