Amkor Technology的研究团队撰写文章

Taylor0808

这篇文章由Amkor Technology的研究团队撰写，主要介绍了两种新型的高密度扇出（HDFO）再分布层（RDL）的Interposer-PoP（封装堆叠封装）结构，旨在满足下一代移动应用处理器（AP）对超薄封装高度、高带宽和改进的信号完整性/电源完整性（SI/PI）的需求。以下是文章的简介和总结：


简介

• 背景：传统的Interposer-PoP技术在高端移动AP中取得了成功，但随着技术的发展，面临进一步减薄封装高度和提高线路密度的挑战。HDFO技术通过超薄的RDL层实现了更小的封装高度和更高的线路密度。

• 研究目的：开发新型的Interposer-PoP结构，以实现超薄封装高度（<400 μm）、高带宽和改进的SI/PI，同时保持良好的可靠性和制造效率。


两种新型Interposer-PoP结构

• 底部RDL和顶部RDL的Interposer-PoP：

• 特点：3层底部RDL和1层或2层顶部RDL，实现超薄封装高度（360375 μm）。

• 优势：高带宽、改进的SI/PI、芯片后制造流程、缩短制造周期。

• 封装翘曲：在25°C时翘曲值为+125 μm，在260°C时翘曲值为-56 μm。


• 底部RDL和顶部层压基板的Interposer-PoP：

• 特点：3层底部RDL和2层层压基板，实现较薄封装高度（400 μm）。

• 优势：高带宽、改进的SI/PI、芯片后制造流程、缩短制造周期、更好的机械强度。

• 封装翘曲：在25°C时翘曲值为+86 μm，在260°C时翘曲值为-16 μm。


封装高度和翘曲控制

• 封装高度：两种结构均实现了小于400 μm的封装高度，显著低于传统层压基板PoP封装的高度（约450 μm）。

• 翘曲控制：两种结构均表现出良好的翘曲控制能力，这对于薄型封装至关重要。


可靠性测试

• 测试项目：包括高加速应力测试（UHAST）、温度循环测试（TC）和高温存储测试（HTS）。

• 测试结果：所有样品均通过了可靠性测试，显示出良好的可靠性。