请问BCD工艺和cmos工艺在版图上的区别在哪？

Jrong22 · 发表于昨天 10:41

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如题，请问BCD工艺和cmos工艺在版图上的区别在哪？我发现实际的器件都是pmos和nmos呀，但是大家好像认为这两种工艺是截然不同的体系。

chuchuang · 发表于昨天 10:56

b 是bipolar c是cmos d是ldmos 只用到mos管没用到三极管和高压管就是普通cmos工艺没区别普通工艺可没有高压管横向bjt

layout——me · 发表于昨天 10:56

我看来就是多了不同的ring来提高电位其他和普通的cmos没得区别，当然你要说什么高压低压之类的那是另外的话题了

juvenescence · 发表于昨天 11:41

1、BCD工艺和cmos工艺在版图上的区别就是BCD多了高压dmos和BJT，另外BCD工艺有普通cmos和高压隔离cmos
2、两种工艺确实是截然不同的体系，BCD工艺主打耐高压，设计时基本会选用带隔离的mos，适用于高性能模拟设计和电源管理芯片，而普通cmos工艺应该在目前的市场上找不到了，至少我没见过单独的cmos工艺

，都是bicmos、BCD和小工艺finfet为主

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