请问我的芯片老是烧坏中间的那根ESD管子，我该怎么办？

zhangyp

我使用CMOS-3.3V的0.35um的工艺，设计的ESD防护电路采用工艺厂推荐的ggnmos管子做ESD防护IO口，但是实际量产后发现总有不同的管脚会出现ESD失效，表现为对正负极有通路或者断路的现象，针对漏电严重的，我送去做InGaAs热点分析，发现大部分都是中间的那根ggnmos管子有亮点，但周边的并联的其他的位置的管子未见到亮点；我这个ggnmos直接调用的厂家的库，我看了也有sab的层次覆盖在Drain端，现在要优化这个ESD，我有三个想法：
1. 继续加大这个ggnmos管子？
2. 把中间管子的drain到gate的距离拉的比周边并联的管子再略大一点，我的想法是想方设法要让这些管子都同时导通这样才更好；
3. 加大ggnmos的gate到gnd的电阻和电容？
还是请问有高手能指出我该如何处理吗？
补充一下，我的ESD的ggnmos管子尺寸大小是16根，每根W=20um,L=0.35um，奇怪的是，为什么ESD管子的L和内部电路的L完全一样使用最小尺寸

godtom

可能是管子形状没做好 finger数多了 开启不均匀

zhangyp

应该不像管子形状的问题，这个是厂家PDK里面自带的ggnmos，不过，厂家推荐的gate的宽度竟然也是L=0.35um,ESD管子不是应该L加大一点吗？会不会这个也有关系？这个真的需要经验，初次做这个还只能摸索前进！

蒋赵威

你ESD窗口设计的范围是多少，L加大相应的工作点就不对了，寄生PNPM可能开不起了，我觉得是触发电压比的点不对，也可能是版图画的有问题

lockheed123

zhangyp 发表于 2025-3-20 17:23
应该不像管子形状的问题，这个是厂家PDK里面自带的ggnmos，不过，厂家推荐的gate的宽度竟然也是L=0.35um,ES ...

L越大不是Ron会越大吗？这样ESD特性不是会变差吗？


应该是ESD管子W要大吧？

zhangyp

我理解是的L变大点，让电流不从表面过，从管子下面的寄生通道过

ymadhubabu

wht bro

andyfan

中间因为离PICKUP远，一般是先开启的，如果总是中间烧，可以考虑减少FINGER，把16个拆成2个8个分别加PICK UP

andyfan

andyfan 发表于 2025-3-20 18:25
中间因为离PICKUP远，一般是先开启的，如果总是中间烧，可以考虑减少FINGER，把16个拆成2个8个分别加PICK U ...

我也是随便一说，原理大概率不错；但是解决方案听听就好。

Huangshu

andyfan 发表于 2025-3-21 07:30
我也是随便一说，原理大概率不错；但是解决方案听听就好。

您好，图片出自哪本书呢，可以分享一下吗，谢谢