求助这个器件是什么？它相比于一般隔离型PMOS管有啥特点，能否用其他器件去替换

RISEIwu · 发表于 2025-3-20 13:54:47

各位模拟和器件大佬们：
本人正在进行一个LDO项目，对比一家竞品工艺发现这个器件，基本判断为PMOS管，但是不清楚这种管子与一般的PMOS管又什么不同之处，希望得到大家的求助，谢谢大家了

暖阳 · 发表于 2025-3-21 09:49:19

看上去有点像BCD工艺？

RISEIwu · 发表于 2025-3-21 10:25:11

暖阳发表于 2025-3-21 09:49
看上去有点像BCD工艺？

是BCD工艺

kwankwaner · 发表于 2025-3-21 10:31:02

贴电路看看

RISEIwu · 发表于 2025-3-21 10:49:03

现在我有一个疑问：这个PMOS管是作为主环路第二级放大的一部分，它应该是镜像功率管的电流。输入电压与功率管栅端形成了一个PN结，不知道相比一般的隔离型PMOS管，为什么使用这种源漏加宽的器件？有什么作用？

RISEIwu · 发表于 2025-3-21 11:19:42

RISEIwu 发表于 2025-3-21 10:49
现在我有一个疑问：这个PMOS管是作为主环路第二级放大的一部分，它应该是镜像功率管的电流。输入电压与功率 ...

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youngabin · 发表于 2025-3-21 14:09:15

拉大漏极距离应该是能小幅度提高耐压，或许是高压器件宽长设定不灵活、阈值电压太高等导致复制比例达不到理想的效果？

RISEIwu · 发表于 2025-3-21 14:25:51

youngabin 发表于 2025-3-21 14:09
拉大漏极距离应该是能小幅度提高耐压，或许是高压器件宽长设定不灵活、阈值电压太高等导致复制比例达不到理 ...

我在另外一个低压LDO竞品上也看到这个器件了，感觉这像是低压器件

youngabin · 发表于 2025-3-21 15:01:08

本帖最后由 youngabin 于 2025-3-21 15:05 编辑

RISEIwu 发表于 2025-3-21 14:25
我在另外一个低压LDO竞品上也看到这个器件了，感觉这像是低压器件

低压器件拉大漏极距离可以增大一些耐压，比如5V管子可以耐压到8V这种，但其他特性还是低压管，或许其他特性会更好吧吧，相比使用LDMOS；但是如果是复制电流的话按理应该用和功率管一样的才对，

RISEIwu · 发表于 2025-3-21 15:31:52

youngabin 发表于 2025-3-21 15:01
低压器件拉大漏极距离可以增大一些耐压，比如5V管子可以耐压到8V这种，但其他特性还是低压管，或许其他特 ...

竞品的功率管使用了1um沟长的DEMOS，但是我这里的工艺使用DEMOS最小沟长为1.5um，所以也改用了源体分离的LDMOS，不知道有啥风险

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