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楼主: JFAY

[求助] gain boost提升不了主运放增益

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 楼主| 发表于 2025-3-26 22:49:38 | 显示全部楼层
本帖最后由 JFAY 于 2025-3-26 23:03 编辑


   
zwtang 发表于 2025-3-22 22:04
仔细学习一下这篇公众号文案,就明白了。增益自举放大器连接方式对输出阻抗的影响之解惑
...


感谢唐老师的回复,这篇文章让我收益匪浅,因为我最开始也是用的单侧提升,不过后面改成了四端反馈。看完后我使用理想运放来替代辅助运放gainboost,在去除第二级classAB结构后我发现第一级确实存在boost上限。
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 楼主| 发表于 2025-4-1 22:01:53 | 显示全部楼层
问题已解决,是电路的偏置问题

补充内容 (2025-4-9 09:42):
并未解决,调整偏置电路会使增益在共模范围内存在显著波动
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 楼主| 发表于 2025-5-8 11:24:00 | 显示全部楼层
问题虽然仍没能解决,但我推测应该是工艺库较差,过压管体泄露电流较大导致的问题
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发表于 2025-7-21 14:04:25 | 显示全部楼层
请问这里的电流镜偏置起啥作用?
gb.png
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发表于 2025-7-21 17:27:32 | 显示全部楼层
仔细考察你的输出电阻变化,很有可能你的输出端并联上了一个其他的阻抗(如果外接了其他模块的话看看是否额外引入了一个阻抗),这个阻抗相对于gain-boosting后的输出阻抗较小,两者一并联,输出阻抗并不取决于增益自举后阻抗,而是被这个小电阻限制了
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 楼主| 发表于 5 天前 | 显示全部楼层


   
IC_Li 发表于 2025-7-21 14:04
请问这里的电流镜偏置起啥作用?


可以决定右侧浮动源流过的电流,并通过耦合的电流镜提升浮动源上下节点的抗波动能力
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 楼主| 发表于 5 天前 | 显示全部楼层


   
把猪拿过雷雷 发表于 2025-7-21 17:27
仔细考察你的输出电阻变化,很有可能你的输出端并联上了一个其他的阻抗(如果外接了其他模块的话看看是否额 ...


对,后面我换了smic.18仿真是没什么问题的,我猜测是所用工艺的管子体漏电过大,导致DB端看去的电阻远小于print得到的rout了。
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发表于 5 天前 | 显示全部楼层


   
JFAY 发表于 2025-8-15 00:09
对,后面我换了smic.18仿真是没什么问题的,我猜测是所用工艺的管子体漏电过大,导致DB端看去的电阻远小 ...


这是什么意思,这个DB端看进去的电阻是什么意思,拉扎维上MOS完整小信号模型里DB端不是只有寄生电容吗?
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 楼主| 发表于 18 小时前 | 显示全部楼层
本帖最后由 JFAY 于 2025-8-20 00:14 编辑


   
把猪拿过雷雷 发表于 2025-8-15 08:58
这是什么意思,这个DB端看进去的电阻是什么意思,拉扎维上MOS完整小信号模型里DB端不是只有寄生电容吗?
...


可以看看下面这篇帖子:https://bbs.eetop.cn/thread-980268-1-1.html
       我也是看了他的帖子才从工艺上面考虑的,我用的工艺库过压管的确在过压范围内体电流会激增。所以后面我试着用smic180搭一遍出来的增益结果就偏向正常了。该电路只是简单的作为我的一个课设所以我也没有再细究原理了。。现在仔细想想,如果是过压泄露电流变大的话搭的tb接成buffer形式在正常电压范围内应该是不会受影响的。但两个工艺搭出来的偏差较大也说明工艺库占一定因素。另外,对于您前面提到的“是否是输出端并联了一个额外电阻”,该模块我是单独仿的所以并没有。但有一个很有意思的现象是:如果去除输出级classAB的话,单测前级gainboost是能起到效果的,测试前级增益+gainboost大概在120dB。而级联上classAB结构后,前一级增益会被衰减到100dB甚至以下。所以衰减是在两级中间发生的,单看现象的话说明后级栅电阻对比前级输出电阻是很小的?



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发表于 9 小时前 | 显示全部楼层


   
JFAY 发表于 2025-8-20 00:10
可以看看下面这篇帖子:https://bbs.eetop.cn/thread-980268-1-1.html
       我也是看了他的帖子才从工艺 ...


单级达到120dB还接了第二级确实比较少见,直观上来看,假设你的输入管总的gm是10m的话,第一级的输出电阻达到了100M欧姆的级别,但是不知道仿真层面有没有这个栅电阻的影响,一般120dB以上的运放用CMOS的比较少,而且晶体管的栅长比较大,一级就有60dB了,两级加上增益自举增益都奔着150dB以上了,都不会用上增益自举的
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