采用深N阱（DNW）的模数混合版图中，隔离电源地为什么要接片外数字电源地呢

JunjiangLiu · 发表于 2025-2-28 16:04:13

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参考网站：Using Deep N Wells in Analog Design - Planet Analog

光非 · 发表于 2025-2-28 16:26:01

因为隔离出的pwell 是floating的

JunjiangLiu · 发表于 2025-3-2 16:54:12

光非发表于 2025-2-28 16:26
因为隔离出的pwell 是floating的

感谢您的回复！我的疑问点实际上在于隔离电源地为什么要接片外数字电源地呢（而不是模拟电源地）。我目前的想法是如果接模拟电源地，那么深N阱内的数字噪声会较大地影响到模拟电源；而如果接数字电源地，数字电源上的噪声对深N阱外的模拟电路影响相对小一些。但是一不知道这样想对不对，二不知道为什么是这样，还请大佬不吝赐教~

光非 · 发表于 2025-3-4 15:33:47

本帖最后由光非于 2025-3-4 15:35 编辑

JunjiangLiu 发表于 2025-3-2 16:54
感谢您的回复！我的疑问点实际上在于隔离电源地为什么要接片外数字电源地呢（而不是模拟电源地）。我目前 ...

我看了下这个网站的描述内容，没有说VSS 就是片外的啊，而且不一定非要接到芯片的 Power/Ground啊

[求助] 采用深N阱（DNW）的模数混合版图中，隔离电源地为什么要接片外数字电源地呢

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