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[求助] tsmc18rf工艺下 运放offset的蒙特卡洛仿真

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发表于 昨天 12:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在tsmc18rf工艺下用ADE XL 对运放进行蒙特卡洛仿真,出现报错
RHEL6_IC617-2025-02-21-11-42-49.png



有下面几个问题:
1,在能特卡罗仿真时,管子要不要进行替换?因为在pdk下每一个管子都有对应的mis版本,需要在原理图进行替换吗?
RHEL6_IC617-2025-02-21-12-22-33.png
2,在能特卡罗仿真时,model选择如下,但还是报上面的error,请问有解决办法吗?(我并没有仿nominal,但提示我nominal有问题)
RHEL6_IC617-2025-02-21-12-24-59.png
 楼主| 发表于 昨天 15:59 | 显示全部楼层
这个error解决了(把器件全都换一遍,跑mc.lib)
但是我的失调电压到了170mV,太大了,这是为啥?怎么解决?
RHEL6_IC617-2025-02-21-14-44-55.png
发表于 昨天 16:21 | 显示全部楼层


LWang050327 发表于 2025-2-21 15:59
这个error解决了(把器件全都换一遍,跑mc.lib)
但是我的失调电压到了170mV,太大了,这是为啥?怎么解决? ...


跟你电路有关吧,估计系统失调太大
发表于 昨天 16:24 | 显示全部楼层
vos的公式可能有问题,mean 170mV不太对劲。要么你的运放增益太低了,压根没钳位住。把你的电路仿真结果和vos的公式发出来
 楼主| 发表于 昨天 16:34 | 显示全部楼层


小胡好好学习 发表于 2025-2-21 16:24
vos的公式可能有问题,mean 170mV不太对劲。要么你的运放增益太低了,压根没钳位住。把你的电路仿真结果和v ...


这是我的运放架构和偏置
2f5c2d125025aa16a6a0307b86302e5.png



2c73e4fd28e1c4d02807f57fd67106c.png


这是AC仿出来的指标
b3d3c14adfcce79819b1a0548c3b407.png


其他指标都没问题,就是仿offset遇到了问题
Vos_1 expression abs((VDC("/VOUT11") - VDC("/net039")))
(输出减输入求绝对值)
把所有的管子在原理图都换成了mis管子
下面是corner配置
RHEL6_IC617-2025-02-21-16-29-24.png
很奇怪,nominal能跑出来直方图(前面给的),但是我没有给它lib啊,mc这个工艺角跑就报错(就是前面给的那个)
 楼主| 发表于 昨天 16:38 | 显示全部楼层
补一张图,nominal跑出来110mV,但是mc跑出来报错(未解决)
RHEL6_IC617-2025-02-21-16-37-21.png
发表于 昨天 16:45 | 显示全部楼层
增益看着很高,公式也没问题
发表于 昨天 16:47 | 显示全部楼层
nominal会用setup-model libraries里面的model,倒是没啥问题
 楼主| 发表于 昨天 16:48 | 显示全部楼层


小胡好好学习 发表于 2025-2-21 16:45
增益看着很高,公式也没问题


对啊,就是我用正常器件跑一次,offset只有500nV,但是换成mis器件后,到了100mV多
 楼主| 发表于 昨天 16:49 | 显示全部楼层


小胡好好学习 发表于 2025-2-21 16:47
nominal会用setup-model libraries里面的model,倒是没啥问题


这样子啊,这里面我用的全是tt,那也挺合理的
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