tsmc18rf工艺下 运放offset的蒙特卡洛仿真

小胡好好学习

那你的两个差分对的dc工作点是什么样的呢

LWang050327

   

小胡好好学习 发表于 2025-2-21 17:04
那你的两个差分对的dc工作点是什么样的呢

一叶天

   

LWang050327 发表于 2025-2-21 17:36

楼主现在蒙特卡洛仿真跑通了吗

LWang050327

   

一叶天 发表于 2025-3-6 23:38
楼主现在蒙特卡洛仿真跑通了吗

跑通了的。是model里的section配置没有配全的原因

一叶天

   

LWang050327 发表于 2025-3-7 22:13
跑通了的。是model里的section配置没有配全的原因

方便告知都选了哪些section吗，如果方便的话能贴张图就最好了，非常感谢

一叶天

   

LWang050327 发表于 2025-3-7 22:13
跑通了的。是model里的section配置没有配全的原因

方便告知都选了哪些section吗，如果方便的话能贴张图告知就更好了，非常感谢

一叶天

   

LWang050327 发表于 2025-3-7 22:13
跑通了的。是model里的section配置没有配全的原因

方便告知都选了哪些section吗，如果方便的话能贴张图告知就更好了，非常感谢

LWang050327

   

一叶天 发表于 2025-3-10 15:24
方便告知都选了哪些section吗，如果方便的话能贴张图就最好了，非常感谢
...

你好，可以看一下这个图，我tsmc18rf工艺下只有 mos管，电阻电容
你可以把你正常能跑通的section一个一个删掉，如果删掉某一个跑不通，就说明这个是必要的
然后把剩下的必要的section换成mc就行（个人见解）

luis116

   

LWang050327 发表于 2025-2-21 16:34
这是我的运放架构和偏置

你用abs，mean值肯定变大

J1angX1nbo

   

LWang050327 发表于 2025-2-21 16:48
对啊，就是我用正常器件跑一次，offset只有500nV，但是换成mis器件后，到了100mV多
...

楼主这个100mV多的失调是输出失调嘛，还是等效到输入端，如果是输出端我觉得是在接受范围内的吧，毕竟你的运放增益很高