TSMC SRAM如何供电问题

2020040401006 · 发表于 3 天前

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楼主最近看了一下TSMC给的IO手册，上面说在打IO cell的时后需要将RAM等IP的供电和standcell区分开，前者需要用模拟的IO cell(PVDD1ANA PVDD2ANA)，后者则用正常数字PG IO即可，但是实际上SRAM和standcell的PG term都是VDD的label，正常通过globalConnect一定会把SRAM和standcell做到一个电压域的，不太懂实际上SRAM需不需要单独用模拟的IOcell供电

xiaoyue12 · 发表于前天 17:27

正常不需要吧，SRAM 通过mem compiler生成的，是有power pin和power mesh的，通过高层metal连接到desing的power mesh就好了。不需要什么io供电

dingyisuper1 · 发表于昨天 17:06

你可以看看你那个memory，一般是在M4，他的电源pin可能除了vdd还有另一个叫别的名字的，比如我现在做的这个，memory有两个power，一个VDD，一个VDDM，就需要接两路电

handsomeli · 发表于昨天 17:17

普通静态存储sram应该不需要特殊模拟io供电，可能有一些模拟IP倒是需要接多路电；
另外，即使pg term vdd和std vdd同名，也丝毫不影响接到不同PD ，比如VDDH VDD上啊

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