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查看: 229|回复: 7

[原创] 用截止区的MOS做大电阻会有什么问题?

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发表于 前天 17:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
在做极低拐点频率RC无源或者有源滤波时,用处于截止区的MOS实现大电阻可以省很多面积,但是会有什么风险呢?

发表于 前天 17:13 | 显示全部楼层
万一完全截断了呢
发表于 前天 17:32 | 显示全部楼层
 楼主| 发表于 前天 18:37 | 显示全部楼层


iTaogo 发表于 2025-1-6 17:32
https://bbs.eetop.cn/thread-968963-1-1.html


谢谢您的链接,这个接法当然没有问题,我其实是想问这种结构会有什么隐藏的缺点吗?毕竟面积省这么多,感觉好处来的太明显了,总感觉有隐藏的坑。
发表于 前天 19:07 | 显示全部楼层

some

本帖最后由 peterlin2010 于 2025-1-6 19:08 编辑

大电阻 variation very large ..


can cut off region mos just like "leakage"


some sdt cell weak pull_up . pull_low  tie-hi , tie_low use this


发表于 前天 19:11 | 显示全部楼层
世另我,我昨晚洗澡的时候也想到了这个方案,还没跟老大说
发表于 前天 19:24 | 显示全部楼层
我见过这么做的,应该可以用在不是很关心 准确拐点频率 的场合
可以做个蒙特卡洛看看,等效电阻的偏差应该会非常大
发表于 前天 19:30 | 显示全部楼层
阻值随process偏差会很大;阻值太大的话来一点漏电dc就扛不住了。
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