EMX做后仿有源器件Label问题

Gaoj

在用EMX做后仿时，把有源器件扣掉打上Label作为端口，那对于多Multiple的晶体管，每个Multiple的label该怎么打，比如我用的NMOS有4个Multiple，那么在版图中，4个Multiple的源漏都打一样的label吗

1、打一样的label在带回前仿

2、打不一样的label带回前仿真

得到的结果相差很大，请问改用那种方式打label呢

swp24551

可以把打一样label的电路图内管子的finger改为m试试

knowworlds

如果离的很远，就要按照实际的连接情况打不同的Label。

胖飞虫

两种版图，一个图片中有通孔，一个没有，是因为图层显示的原因还是二者版图本来就有区别？

Gaoj

胖飞虫 发表于 2025-1-3 11:21
两种版图，一个图片中有通孔，一个没有，是因为图层显示的原因还是二者版图本来就有区别？
...

都有通孔，有一张图我没有shift+F出来

Gaoj

knowworlds 发表于 2025-1-3 11:19
如果离的很远，就要按照实际的连接情况打不同的Label。

请问要怎么衡量远啊

Gaoj

swp24551 发表于 2025-1-3 11:10
可以把打一样label的电路图内管子的finger改为m试试

电路图里就是用的m

胖飞虫

Gaoj 发表于 2025-1-3 12:09
都有通孔，有一张图我没有shift+F出来

麻烦问一下，图中画圈的部分都是VDD，那么箭头所指示的金属另一端是什么label是什么呢？
通过看原理图我觉得：VDD应该只有一个（一般是PAD），电压VDD通过金属联接到有源器件的漏极，那么有源器件的漏极，在EMX仿真中的端口不应该设置为VDD而是应该重新命名。
因为高频下VDD到有源器件的漏极部分的金属会有寄生，会有相移。如果将有源器件的漏极端口也设置为VDD那么相当于忽略了VDD到有源器件的漏极部分的金属所带来的寄生。

doghead

看频率，这种多m的一般薄金属以下用calibre提参就行了，厚金属采用EM

knowworlds

Gaoj 发表于 2025-1-3 12:11
请问要怎么衡量远啊

我看你第二张图，OUTPA1 OUTPB1感觉都离了几十um了？这种肯定是打多port吧。我没特别看清楚你贴的layout。只是看到PORT在图上离的蛮远。