在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 174|回复: 4

[求助] LDO设计指标

[复制链接]
发表于 昨天 13:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
30资产
请问LDO的设计指标是输入3.3到5,输出1.8,而我的PDK只有 n33的管子,而且要满足压差电压小于200mv。那岂不是我在输入电压在接近2V的时候就要满足输出为1.8V左右。那这个LDO的设计指标是不是有问题呢?

                               
登录/注册后可看大图


发表于 昨天 18:08 | 显示全部楼层
换工艺
 楼主| 发表于 昨天 19:21 | 显示全部楼层


工艺要求是smic18的CMOS工艺,我看smic18mmrf只有n33和p33的管子,可以进行mc仿真;但是smic18ee的工艺库有p50e2r但是,不能进行mc仿真,只能进行tt,ff,ss这种工艺角啊。怎么办。而且那个压差电压的小于200mv,那么输入电压的下线不就基本确定了吗

 楼主| 发表于 11 小时前 | 显示全部楼层


陈福刚 发表于 2024-11-29 19:21
工艺要求是smic18的CMOS工艺,我看smic18mmrf只有n33和p33的管子,可以进行mc仿真;但是smic18ee的工艺库 ...


别沉啊


发表于 15 分钟前 | 显示全部楼层
1.8V应该不是对你输出的要求,是LDO的参考电压1.8V
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-30 11:33 , Processed in 0.016484 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表