LDO测试输出电压偏高5%

阿苏拉 · 发表于 2024-11-27 16:41:16

tomcarrot 发表于 2024-11-27 14:41
只有厚金属的话，可能性就变小了

好的，谢谢您，目前确实没有思路了，我再测一下高低温看看有没有新的信息

阿苏拉 · 发表于 2024-11-27 16:42:55

YyuanRTs 发表于 2024-11-27 15:53
后仿做全了吗？反馈点的到实际输出点会不会有压降？运放版图效应有没有产生offset？ ...

您好，后仿交叉corner和MC都仿了dc和trans的，没有异常，如果只考虑LDO的layout的话这两个应该都没有

Vawell · 发表于 2024-11-27 16:57:46

先进工艺还是成熟工艺？一些二级效应有考虑吗

阿苏拉 · 发表于 2024-11-27 17:08:33

Vawell 发表于 2024-11-27 16:57
先进工艺还是成熟工艺？一些二级效应有考虑吗

您好，是成熟工艺，我的理解是体效应和沟道调制效应仿真是有体现的，请问您觉得这里有没有考虑到的地方吗

Vawell · 发表于 2024-11-27 20:29:48

阿苏拉发表于 2024-11-27 17:08
您好，是成熟工艺，我的理解是体效应和沟道调制效应仿真是有体现的，请问您觉得这里有没有考虑到的地方吗 ...

检查一下contact电阻是否包含；LOD和WPE相关参数后仿网表里面是否有体现。检查一下输入对管附近是否有不对称的比如pwell边界DNW边界

阿苏拉 · 发表于 2024-11-28 16:56:02

Vawell 发表于 2024-11-27 20:29
检查一下contact电阻是否包含；LOD和WPE相关参数后仿网表里面是否有体现。检查一下输入对管附近是否有不 ...

您好，contact电阻，LDO和WPE参数在后仿中都有体现，输入对管是对称的，但FVF结构镜像电压的输入对管因为衬底电位不同没有share在一起，poly和NWELL的间距有一些差别，请问这个影响大吗

nanke · 发表于 2024-11-28 19:18:52

是MPW还是full mask，后者可以拿一个lot统计下mc偏差。

Vawell · 发表于 2024-11-28 22:14:26

阿苏拉发表于 2024-11-28 16:56
您好，contact电阻，LDO和WPE参数在后仿中都有体现，输入对管是对称的，但FVF结构镜像电压的输入对管因为 ...

衬底电位不同导致vth有偏差，我觉得是合理的。再加上你轻重载的区别不大，说明电路本身没什么问题。这样的话就是因为process偏差导致的，只能通过trim去修掉

[求助] LDO测试输出电压偏高5%