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查看: 1333|回复: 17

[求助] LDO测试输出电压偏高5%

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发表于 2024-11-26 17:46:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
200资产
求助,芯片回片之后测试,发现FVF结构的LDO,输出电压比仿真偏高40mV-50mV,超出了MC仿真的偏差,目前测试了BG的VREF和bias电流都是正常的,LDO地上电阻也比较小,重载空载测试LDO输出电压基本一致,目前没有debug的思路了,请问有没有前辈可以指点一下

发表于 2024-11-26 18:43:06 | 显示全部楼层
把能tuning的点都调一下,看一下Vout和什么东西相关性比较强
发表于 2024-11-26 18:43:46 | 显示全部楼层
每片都一样吗
 楼主| 发表于 2024-11-27 09:27:59 | 显示全部楼层


是的,目前测下来是这样的,而且还有一个现象,每一个片子上同一个layout,一个LDO输出是正常的,一个偏高
发表于 2024-11-27 09:37:11 | 显示全部楼层


阿苏拉 发表于 2024-11-27 09:27
是的,目前测下来是这样的,而且还有一个现象,每一个片子上同一个layout,一个LDO输出是正常的,一个偏 ...


是一个BGR给两个相同的LDO提供偏置吗?然后一个LDO输出异常?这个问题我也遇到过
 楼主| 发表于 2024-11-27 09:56:27 | 显示全部楼层


BraveTiger 发表于 2024-11-27 09:37
是一个BGR给两个相同的LDO提供偏置吗?然后一个LDO输出异常?这个问题我也遇到过 ...


是的,请问您找到原因了吗
发表于 2024-11-27 10:20:25 | 显示全部楼层
运放对管、反馈电阻串上是否有bump/pad或者是厚金属?
 楼主| 发表于 2024-11-27 10:53:38 | 显示全部楼层


tomcarrot 发表于 2024-11-27 10:20
运放对管、反馈电阻串上是否有bump/pad或者是厚金属?


您好,没有bump/pad,但有厚金属,我把top上的金属走线加在LDO的layout上了,仿真没有看到区别,请问这个影响仿真可能看不到吗
发表于 2024-11-27 14:41:16 | 显示全部楼层


阿苏拉 发表于 2024-11-27 10:53
您好,没有bump/pad,但有厚金属,我把top上的金属走线加在LDO的layout上了,仿真没有看到区别,请问这个 ...


只有厚金属的话,可能性就变小了



bump开窗、pad打线都会产生应力问题,对器件匹配性有影响,仿真看不到的。

单厚金属的话,先考虑别的原因吧
发表于 2024-11-27 15:53:28 | 显示全部楼层
后仿做全了吗?反馈点的到实际输出点会不会有压降?运放版图效应有没有产生offset?
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