mos打散，如何LVS

memory0012 · 发表于 4 天前

有些懒的二虎发表于 2024-11-1 16:27
你说打散了N管，难道是有源区被删了？

我打散了NMOS，如果我只加一些POLY，LVS也会这样

maomao198477 · 发表于 4 天前

不知道对比看下是否少层了？？？？

Quinn714 · 发表于 4 天前

打散之后自己重新画，需要和pcell器件做对比，看是否会缺少层次或者label，有些器件依靠识别层和label识别器件的，如果层次没问题，也要注意一些相关的层次结构是不是符合drc规则，然后可以用calibre试着只提版图网表，看能不能提出器件，如果是bad device，那说明你改的就是有问题

522526tl · 发表于 4 天前

你删了一些识别层吧，导致什么都识别不出来

memory0012 · 发表于 4 天前

Quinn714 发表于 2024-11-1 18:21
打散之后自己重新画，需要和pcell器件做对比，看是否会缺少层次或者label，有些器件依靠识别层和label识别 ...

我发现原因在于我加的poly层，导致LVS不能通过。删了就能通过LVS。因此请问在打散后可以加poly层吗？

acrofoxAgain · 发表于 4 天前

memory0012 发表于 2024-11-1 19:05
我发现原因在于我加的poly层，导致LVS不能通过。删了就能通过LVS。因此请问在打散后可以加poly层吗？
...

可不可以加Poly跟打不打散是两个独立的问题，能不能加不看有没有大散，看你加的位置会不会影响器件结构。

不管你打散还是不大散，制造出来的都是一样的。

memory0012 · 发表于 4 天前

acrofoxAgain 发表于 2024-11-1 22:10
可不可以加Poly跟打不打散是两个独立的问题，能不能加不看有没有大散，看你加的位置会不会影响器件结构。 ...

明白了多谢大家

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