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[求助] NMOS交叉对的VCO

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发表于 2024-10-29 12:13:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
20资产
NMOS交叉对的VCO,交叉对的两个NMOS管子用的是1.1V的mos管,振荡后的交流电以1.1V为中心基准,上下振荡,最高电平达2.2V。
问题:对于这种NMOS交叉对的VCO,2.2V的交流电平会不会把1.1V的交叉对的NMOS管击穿,另请说明下,具体的原因。

发表于 2024-11-6 10:51:45 | 显示全部楼层
1.1V应该是指MOS的DC耐压,PDK文档里面应该有说他的交流耐压,包括RMS和PP,一般是比DC耐压高的。
 楼主| 发表于 2024-11-6 15:18:12 | 显示全部楼层


hzt_0401 发表于 2024-11-6 10:51
1.1V应该是指MOS的DC耐压,PDK文档里面应该有说他的交流耐压,包括RMS和PP,一般是比DC耐压高的。 ...


请问下对于SMIC工艺,又说交流耐压的PDK文档名字叫什么
发表于 2024-11-6 16:06:42 | 显示全部楼层


wangxiangjun 发表于 2024-11-6 15:18
请问下对于SMIC工艺,又说交流耐压的PDK文档名字叫什么


没用过SMIC不知道叫什么,不过应该是在讲每个model参数的文档里,你找找看
 楼主| 发表于 2024-11-7 09:27:53 | 显示全部楼层


hzt_0401 发表于 2024-11-6 16:06
没用过SMIC不知道叫什么,不过应该是在讲每个model参数的文档里,你找找看
...


我这边没找到这个文件,方便给我看下,你用的工艺库是关于管子的DC耐压和AC耐压,以及RMS和PP的描述吗?
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