关于电荷泵设计使用的工艺有几个疑问

fathorse · 发表于 2024-10-17 10:13:10

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请问电荷泵这样的升压电路对MOS管的耐压值要求是怎么样的？
比如要升到12V的电压是不是应该使用耐压超过12V的MOS管，这样是需要使用HV工艺或者BCD里的DMOS实现吗？
如果管子的耐压是指管子各端的电压差的话，是不是在n管上使用三阱工艺就可以避免使用耐高压的管？

或者能否使用全PMOS的电荷泵结构，就可以仅通过标准的CMOS工艺就能实现？

acrofoxAgain · 发表于 2024-10-17 10:43:19

要具体到每一个管子进行分析，比如最后输出点肯定是要到12V的，那这个点到地的压差就有12V，标准CMOS工艺，N阱到PSUB未必能长时间耐受12V的电压。

fathorse · 发表于 2024-10-17 11:22:01

acrofoxAgain 发表于 2024-10-17 10:43
要具体到每一个管子进行分析，比如最后输出点肯定是要到12V的，那这个点到地的压差就有12V，标准CMOS工艺， ...

如果是这样，意思是说用PMOS管的话，体极接高压可以使管子本身都在耐压值内，但是它的n阱和衬底的高压差也可能无法承受，这样理解对吗？

acrofoxAgain · 发表于 2024-10-17 11:47:54

fathorse 发表于 2024-10-17 11:22
如果是这样，意思是说用PMOS管的话，体极接高压可以使管子本身都在耐压值内，但是它的n阱和衬底的高压差 ...

是的。

restless9527 · 发表于 2024-10-17 15:45:16

如果电路内部有12V电压，那不管使用那种方式的电荷泵设计，都是需要专门耐压达到12V的管子才可以。标准CMOS工艺不支持这种高压管子，可以在标准CMOS基础上增加MASK，自己设计耐压到12V的管子。不需要BCD工艺。

fathorse · 发表于 2024-10-18 16:08:11

restless9527 发表于 2024-10-17 15:45
如果电路内部有12V电压，那不管使用那种方式的电荷泵设计，都是需要专门耐压达到12V的管子才可以。标准CMOS ...

不自己做管子的话，就必须要使用HV库了吗

restless9527 · 发表于 2024-10-21 09:56:53

fathorse 发表于 2024-10-18 16:08
不自己做管子的话，就必须要使用HV库了吗

是的，不然你哪来承受12V压差的管子

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