佬们，求助下efuse testkey测试条件相关问题，感谢！

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efuse的 ip在设计之初得知道efuse器件的编程电流，编程电压，编程时间这些信息，所以要测试一批efuse的testkey，但测试时不可能每个电压都测一遍，要选大约3个编程电压去烧，所以想问问佬们编程电压是咋选的，需要T-CAD仿真啥的吗？还有编程时间咋加的

chuchuang

编程电压主要是电阻烧录后 ，识别电路反转点的问题，有看到可以用fuse调节的 ， 电流和时间才是efuse 烧录后形成多大阻值的因素 ，很多带测试模式去筛选   

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chuchuang 发表于 2024-9-18 15:47
编程电压主要是电阻烧录后 ，识别电路反转点的问题，有看到可以用fuse调节的 ， 电流和时间才是efuse 烧录 ...

确实编程电流和时间才是最重要的，电流应该是测试完后得出的结论，时间也只能尽量多测一些了。我看到一些efuse testkey的测试资料都是选3个编程电压去烧，但这个电压的选取我很费解，因为上边需要拿出依据，就绕不开tcad仿真这事，所以想问问大家在确定测试电压时有没有仿真过

Cruisers

做过Efuse相关的测试，实际上从设计端，应该是无法模拟efuse整个编程的过程吧？ 设计端一般会给出一个比0还是比1的reference电阻。从测试的角度需要保证编程后的fuse的阻值要比reference大，但是又不能大的很极端(涉及到efuse的过编程问题，其中一种情况是整个fuse在很大的stress下，完全“炸”开。对应了阻值很大的open的情况，这一种情况我看的一些文献里提到，是有风险的)。至于电压的选取，因为Efuse的编程并不需要高压，所以编程电压大概率是由芯片的VCC甚至VDD来提供。  这就等于给定了一个范围，也就是VCC或者VDD的 min/typ/max。可以从这几个方面入手。至于编程时间，不同的工艺节点实际上会有一些参考值，但是具体肯定是根据编程后的电阻分布，以及可靠性实验的结果来给定。

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Cruisers 发表于 2024-9-24 14:46
做过Efuse相关的测试，实际上从设计端，应该是无法模拟efuse整个编程的过程吧？ 设计端一般会给出一个比0还 ...

谢谢解答!

mikeyyan

efuse是无法进行编程仿真的。如果用TCAD仿真，只能获得对于特定形状、材质的熔丝上的温度分布，只具有一定的参考价值。你的efuse设计是在什么工艺下，编程电压是多少？

mikeyyan

efuse的编程操作是无法仿真的。通过TCAD仿真，只能获得特定形状和材质的熔丝上的温度分布，只对设计有一点参考作用。你的efuse设计是基于什么工艺，编程电压是多少？