cascode电流源设计求助

yuanhao1024 · 发表于 2024-9-4 16:34:36

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请教一下，有啥办法减小cascode电流源输出电流随温度的波动呢，从24度到80度，电流从54u边到了80u了，变化好大，以及仿真了不同PVT情况下的电流值，偏差较大

kszkyf · 发表于 2024-9-4 16:55:12

和cascode没关系，你下面那个管子M3的工作点有问题

jiangnaner · 发表于 2024-9-4 17:10:22

管子M3

yuanhao1024 · 发表于 2024-9-4 17:35:46

kszkyf 发表于 2024-9-4 16:55
和cascode没关系，你下面那个管子M3的工作点有问题

你好，请问下边那个管子应该工作在什么区呢，上边看两个饱和区的话，28nm下0.9V供电，很难让下边这个管子也在饱和区啊。最下边还有500mV的钳位电压源

yuanhao1024 · 发表于 2024-9-4 17:40:30

kszkyf 发表于 2024-9-4 16:55
和cascode没关系，你下面那个管子M3的工作点有问题

您好，请问管子M3正常应该工作在什么区呢，开关状态的话，是不应该是饱和和截止呢理论上？但这里需要下边有个钳位电压源（500m），在0.9V电源供电下，很难让三个管子都饱和吧

Arashi丶 · 发表于 2024-9-4 17:59:15

你固定了VGS，在不同温度下，还想着电流不变？这本身就不合理

yuanhao1024 · 发表于 2024-9-5 09:42:34

Arashi丶发表于 2024-9-4 17:59
你固定了VGS，在不同温度下，还想着电流不变？这本身就不合理

您好，非常感谢您的答复。那这种一般怎么解决，是不要引入反馈，让栅极偏置电压，抵消一下？

jvxiao · 发表于 2024-9-5 15:36:11

本帖最后由 jvxiao 于 2024-9-6 09:58 编辑

我也有疑惑，楼主的意思是VDD=0.9v,下面的PMOSdrain钳到了0.5V吗？那三个管子一共就只有0.4V，就算三个都工作在亚阈值区，vds150mV。PVT下vds很容易忽大忽小影响id呀，那这种低压下，这种结构仍旧可行吗？

Arashi丶 · 发表于 2024-9-5 17:35:21

yuanhao1024 发表于 2024-9-5 09:42
您好，非常感谢您的答复。那这种一般怎么解决，是不要引入反馈，让栅极偏置电压，抵消一下？
...

你的需求是什么，搭一套能用的电路？还是单纯的验证MOS的性能？如果是搭电路的话，从你的截图来看，你的偏置应该是用的理想的电压源，这在实际电路中是不存在的，你应该是先搭一个电流基准，然后镜像复制，简单的就是电阻串MOS管的结构；稍微准一点的就是用带隙基准做一个PTAT或者CTAT电流。

yuanhao1024 · 发表于 2024-9-6 15:22:18

Arashi丶发表于 2024-9-5 17:35
你的需求是什么，搭一套能用的电路？还是单纯的验证MOS的性能？如果是搭电路的话，从你的截图来看，你的 ...

试过带隙基准作ptat那种，那种是必须要用三极管吗，这个工艺三极管可选就两种,vth在600多了

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