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[求助] 芯片双刀切割

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发表于 2024-8-23 16:16:37 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
购买主题 本主题需向作者支付 20 信元资产 才能浏览
发表于 2024-8-23 16:29:42 | 显示全部楼层
你是不是设置错了?

“本主题需向作者支付 20 信元资产 才能浏览‘??
 楼主| 发表于 2024-8-23 17:08:02 来自手机 | 显示全部楼层
弄错了,
mmexport1724400341379.jpg
发表于 2024-8-26 09:02:15 | 显示全部楼层
切割道 240um,很宽很宽,从时间和成本上考虑,只居中切割就行。
如果对die size 有要求,按你的方案靠近die边缘切割2次。

剩余宽度没有限制吧,要看外协实际加工能力吧,把切割道当成60um+120um(dummy die)+60um;理论上100多um的芯片也是有的。
注意控制切割参数,水流量等。
发表于 2024-8-27 23:10:48 | 显示全部楼层
估计封装厂不同意做
发表于 2024-8-30 09:45:47 | 显示全部楼层
双刀切是为了匹配die size 对吧;
如果die thickness 是原厚 且需要 LG+DS的话 确实有些棘手;
1)240um 去掉两侧KOZ 的要求, 再切2刀;
中间的Bone(孤岛) 最大极限也只有150um左右,划片容易掉die ,需要考虑die 的长宽比;

2)这样的话 划片膜选型比较关键,如果 要FC 上芯作业 就更麻烦了 估计要die fly;

3)在不考虑yield的条件,如果是dummy die 以上2条无法客服的话,可以通过die MPW 交错
作业满足需求,但是这样会浪费一半的wafer, 优点是绝对没有划片 和倒装工艺问题

请参考
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