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楼主: huangzhh1085

[求助] 带隙基准的高阶补偿

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发表于 2024-8-30 15:22:34 | 显示全部楼层
我最近也在研究用楼主这种方式进行高阶补偿,发现了一些问题,与楼主交流一下。我发现要用这种方式补偿需要流过Q3支路的电流是要与温度无关的,但这种电路要在R4上实现稳定的电压输出的话,各支路的电流必定是带了温度系数的(即,一般电阻是负温度系数的话,那么各支路电流镜里的电流必定是正温度系数才能实现在R4上得到温度无关的基准电压)。因此,流过Q3的电流如果不是与温度无关的话就没法抵消掉高阶项,除非调节各支路电流至0温度系数,但这样R4也必须是0温度系数(但很可惜这是不可能的)。
发表于 2024-10-24 16:58:50 | 显示全部楼层
R18和R19阻值巨大无比,他的电流需要达到nA级别
发表于 2024-12-31 10:50:07 | 显示全部楼层
请问楼主怎么调电阻的,一阶抛物线出来之后,引入Q3以及两个电阻,发现原先的一阶温度无关还是会被打破。18BCD,Q3得大一些,不然电流会流入Q1,Q2
发表于 2025-1-7 10:23:05 | 显示全部楼层


shanklin 发表于 2024-8-30 15:22
我最近也在研究用楼主这种方式进行高阶补偿,发现了一些问题,与楼主交流一下。我发现要用这种方式补偿需要 ...


我也是发现了这个经典架构存在您说的这个问题
1、电阻存在温度系数,一般电阻负温系数的话,电流就是正温系数,一阶补偿后的ref电压才是0温;
2、Q3上面的电流一部分是i_ref+2*i_NL , 这个i_NL(我搭出来的电路呈现正温)的存在使得Q3上面不可能流过0温电流,所以这里的高阶补偿也不成立了。

这个架构有种前后矛盾的感觉,一个是0温电流和0温电压的矛盾,一个是Q3上面i_NL的矛盾,我自己尝试出来温度系数也并没有很好,不知道别的人具体细节如何。


发表于 2025-1-7 14:01:56 | 显示全部楼层


yyyyyo 发表于 2025-1-7 10:23
我也是发现了这个经典架构存在您说的这个问题
1、电阻存在温度系数,一般电阻负温系数的话,电流就是正温 ...


后来找了很多资料,发现很多人说高阶补偿考虑到PVT之后就没有意义了。如果是军品不在乎成本可以筛片,triming什么的,筛出温度系数低的die,普通民品量产的话感觉意义不大。
发表于 2025-1-10 10:16:38 | 显示全部楼层


shanklin 发表于 2025-1-7 14:01
后来找了很多资料,发现很多人说高阶补偿考虑到PVT之后就没有意义了。如果是军品不在乎成本可以筛片,tri ...


A Novel 0.84 ppm/oC CMOS Curvature-Compensated Bandgap With 1.2 V Supply Voltage
Huachao Xu, Yuanzhi Zhang, Xiaobing Yan, Jin Wang, Chao Lu, Guofeng Li
你好,我后面参考了这篇论文可以弥补之前提到的缺点,单一工艺角下可以做到比较小的温度系数,但corner和mc仿真结果比较差,可以看一下作为参考。

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