tsmc18工艺做了一个bandgap，还没Trim，在不同工艺角下的差异就很小，只有几mV

telebacon

设计了一个bandgap，经典结构，本来准备修调的，结果仿真出来这个不同工艺角下的Vbg就几mV的差别。
MC仿真，不同温度下sigma也都只有1-3mV，bandgap电阻比例差不多10/1，这么一算失调电压只有0.几mV吗，感觉这个数据很不合理啊
管子也是用带mac的MOS，仿真文件也是mc.lib和mismatch.lib，然后点开造成mismatch的比例里面，只有一个99%的系统失调，其他所有管子的部分都是0%，这是我pdk的问题吗，还是我选错了管子，又或者是其他情况？
求各位大佬指点

bandgap结构

27℃下的MC仿真

telebacon

这是mc的误差具体分析，我看其他人这项点开，都有mos管的mismatch，我这里怎么没有显示

telebacon

哇我发现问题了，我跑的是mc.lib下的MC，没跑mismatch.lib下的MC，无语了。跑mismatch.lib就正常了

blackspeed

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