微电子器件 BJT

aozhouxie

根据主要导电载流子种类可以将器件分为多子器件和少子器件。少子器件主要包括二极管，BJT，晶闸管等，多子器件主要有MOSFET。

两者的区别如下 :

1）多子器件主要靠多数载流子导电，而少子器件一般由电子和空穴同时导电。

2）多子器件相对少子器件开关速度要快，因为少子器件的PN节存在载流子的积累和清除过程,相当于不仅要对势垒电容充放电还需要跟扩散电容充放电。

3）少子器件其管压降是负温度系数，温度越高其漏电流也越大；而多子导通压降为正温度系数，温度升高使得N型(或者P型)半导体中的粒子运动频率加快，从而阻力加大，压降升高。所以少子器件不利于并联，而多子器件更适合并联。

题主有以下的疑惑：

   为什么对于BJT器件，一般只考虑少子的特性?
   对于BJT，其多子的分布应该是什么样的？按照电荷守恒得到的多子分布图是否正确（在基区有N_A+n_p=P_p,图片来自Gray的ANALYSIS AND DESIGN OF ANALOG INTEGRATED CIRCUITS）？如果正确，为何基区内部不存在多子（空穴）的扩散电流？

sutaotao2001

Thanks

jiangnaner

Thanks

alienwarexie

:):)

aozhouxie

在小注入近似下多子是平的，所以文中的电荷守恒考虑是有问题的。