对于一个.35um的BCD工艺中有一些疑惑

Wzx_imos

群里面有没有对高压BCD工艺比较懂的大佬呀？
上面两张图片都是从PDK文件中截的图，NHDD在PDK中的解释是

                               
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这个HDD区域是什么区域我不是很明白？
HDD区域和Pdrift和Ndrift区域的参杂浓度关系是什么样子的呢？
HDD区域和Pdrift区域的深度关系又是什么样子的呢？
PDK中给出的器件横截面图能准确的展示器件各层次的深度关系吗？
NWELL和-drift的参杂浓度和深度关系又是什么样的呢？

HDD region应该是指的BCD工艺中的双重扩散区域吗？
我猜测（认为）HDD区域的参杂浓度应该是高于_drift区域的参杂浓度的吧？
对于一般的BCD工艺_drift区域是不是深度要比NWELL(N阱)深度更深，参杂浓度更低呢？

补充一句这个BCD工艺是台湾NUVOTON的  .35um的BCD工艺，有没有大佬之前接触过这个工艺的，或者说了解这个工艺的？

melody027

顶一个

Peter_Gym

感觉上是PBODY IMP之类的

melody027

1.感觉是跟NLDD/PLDD轻掺杂漏工艺相反的一种工艺，楼主你有答案了吗？

Sajid

Usually in BCD process, HDD is the highly doped drain which helps to have a better electrical connection between metal contract and semiconductor, so that no wanted Schottky junction forms. NHDD is basically a extended drain region with higher annealing time/temperature, usually with high ion implantation energy one can dope the N-type purity in bulk and than use annealing to get a higher doped area below the drift region.