io cell和PAD的区别

dyt99

请教各位，PAD是必须插filler，而 io cell是可以不插的吗？具体是因为什么呢？如果是一排io cell的话，内部自动连接成power rail，那后端还需要在cell上打power stripe吗？

songsbb

PAD 一般指wire bond 封装的PAD cell，外接锡球的点，是一块大的方形metal，一般只包含top metal 。
io cell 是包含base layer 的基本IO 单元， 有PAD pin 连接PAD cell。
io cell 之间有rule 需求及实际FP，之间的空隙是要加io filler 的，保证IO 上的ring 连接。   
由于io cell 一般只包含到M4较低层metal ，出于增强ESD等考虑，需要手动在高层metal power stripe 再补强ring。 或者在IO cell 周边区域补强。

dyt99

songsbb 发表于 2024-7-22 16:35
PAD 一般指wire bond 封装的PAD cell，外接锡球的点，是一块大的方形metal，一般只包含top metal 。
io c ...

请问如果io cell内的power占了较高层金属，比如M5~M8，那是不是可以不用在上面打power stripe呀？这样的话，PR流程上只需要io filler填充间隔保证rail的连通，还需要其他操作吗？第一次涉及io cell相关，请多多指教

songsbb

IO 上的power 的电压跟core 电压是不一样的，IO cell 一般有多个电源pin， 除了core 电源还有IO voltage 的电源线，IO cell 上的power stripe 主要考虑的是这部分IO voltage 的电源线的ESD等可靠性问题，尽量补强，多多益善，当然你如果power source 点够多，够强也可以不补，满足guide rule 就行。

dyt99

songsbb 发表于 2024-7-23 14:00
IO 上的power 的电压跟core 电压是不一样的，IO cell 一般有多个电源pin， 除了core 电源还有IO voltage 的 ...

好哒，谢谢