MOS管的源漏对衬底二极管和DION二极管的IV特性不一样？

zczc999 · 发表于 2024-7-17 01:32:08

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本帖最后由 zczc999 于 2024-7-17 01:36 编辑

我想看一下NMOS和DION的正向导通电流大小，发现很奇怪的现象。

1. 这里我做了一个仿真，NMOS保持L不变，只是增加W，发现其正向电流与W不成比例关系，随着W的增加，电流居然逐渐趋于饱和了。我的理解里，二极管的正向电流不是应该随着面积增加而线性增加嘛，怎么会趋于饱和呢？

2. 仿真了一个4um*4um的DION二极管和 W=1u， L=0.55u， m=3的NMOS源漏二极管的正向电流。发现NMOS的电流远大于DION，但是NMOS的面积却是远小于DION。这两种二极管为什么会出现这么大的电流差距呢？

请高手指点一二

贾郑和 · 发表于 2024-7-17 10:45:37

还从来没想过这个问题。也许是模型差异吧。去看看模型文件也许能获得有用的信息

[原创] MOS管的源漏对衬底二极管和DION二极管的IV特性不一样？

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