在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: Vawell

[求助] LDO和FVF的讨论

[复制链接]
发表于 2024-12-24 19:20:27 | 显示全部楼层
最近也在做一个10nf级别的300mA的LDO,要求瞬态100ns,请问比较推荐什么结构,FVF吗,主极点放在什么位置比较合适
 楼主| 发表于 2024-12-24 20:34:04 | 显示全部楼层


陈福刚 发表于 2024-12-24 19:20
最近也在做一个10nf级别的300mA的LDO,要求瞬态100ns,请问比较推荐什么结构,FVF吗,主极点放在什么位置比 ...


我们的设计后来还是用了传统结构的LDO,第一级的极点做的很高频。10nF级别的电容主极点没地方选,只能放在输出。FVF分析了一下精度还是太低,最后没采用。供参考
发表于 2024-12-24 22:13:12 | 显示全部楼层


Vawell 发表于 2024-12-24 20:34
我们的设计后来还是用了传统结构的LDO,第一级的极点做的很高频。10nF级别的电容主极点没地方选,只能放 ...


你好,请问您最后采用的就是普通的folded cascode+buffer+MP功率管吗?因为我的最大电流是300mA,导致如果buffer采用ssf,就会导致MP的管子W要有90m甚至更多,才能满足压差满足200mv,目前,第一级采用folded cascode,第二级采用共源放大器,想采用vccs补偿,引入一个左零点,但是带宽最多也就2M,还不好补偿,请问您第一级频率很大,那您的增益还够吗,我老师还要求我PSRR要大于70db,能请问下您当时就是一共才2级吗?请问可以推荐一些论文吗,补偿真的好难,nf的ESR补偿还不能用,我IEEE快找遍了,也没多少nf级别的片外电容?


 楼主| 发表于 2024-12-25 09:45:01 | 显示全部楼层


陈福刚 发表于 2024-12-24 22:13
你好,请问您最后采用的就是普通的folded cascode+buffer+MP功率管吗?因为我的最大电流是300mA,导致如果 ...


cascode换成cascade,cascode的高阻很难把带宽做高。要有这么个理念
发表于 2024-12-25 18:32:53 | 显示全部楼层


Vawell 发表于 2024-12-25 09:45
cascode换成cascade,cascode的高阻很难把带宽做高。要有这么个理念


我尝试了第一级用5管的运放,第二级共源,但是如果我重载还把主极点放在片外的话,由于我的PSRR要大于70DB,所以我的开环增益在重载的时候达到了100db,那么GBW=Av*-3db是太大了,由于功率管的寄生电容有20P左右,真的很难把前两级的极点推得特别高,请问大佬能推荐一下用什么结构或者补偿吗


发表于 2024-12-26 14:28:43 | 显示全部楼层


HingTai 发表于 2024-9-16 18:32
或许可以看看路老师的文章 A 0.65ns-Response-Time 3.01ps FOM Fully-Integrated Low-Dropout Regulator wi ...


thanks
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-4-19 16:48 , Processed in 0.019296 second(s), 7 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表