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楼主: BraveTiger

[求助] capless LDO提升PSR

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 楼主| 发表于 2024-7-7 14:51:30 | 显示全部楼层


DD_cebelas 发表于 2024-7-6 04:21
FVF - Cascode feedback


感觉很高级  大佬没有没具体文献参考一下
 楼主| 发表于 2024-7-8 16:06:31 | 显示全部楼层
接着来填自己的抗,FVF ldo很不容易实现,至少对于180工艺来说,当重载为30mA时,功率管的输出阻抗为几十Ω,如果想做片上的LDO,最多也就能放个100多pF的电容,所以主极点非常小,极其容易不稳定。并且这种结构PSR效果也不是很好
发表于 2024-7-8 17:03:21 | 显示全部楼层
本帖最后由 xdy609841687 于 2024-7-8 17:06 编辑

同样180工艺,我也遇到了高压fvf ldo很难稳定的问题,如果主极点放在功率管gate上,为了扛瞬态负载电容也要大,轻载时就很难稳定,压主极点又会导致瞬态变差(因为功率管gate上的电容变大了),又违背了fvf快速的设计初衷。
如果主极点放在输出,重载时阻抗太低,主极点太大,负载电容最多百p级别,内部极点很难推到主极点以外的地方去,同样不能稳定。至于psr在各种结构里不算差了。
所以还希望做过fvf的大佬解释下,什么样的fvf能同时实现高压、瞬态好(负载电容大,要扛数字翻转电流)、稳定性余量大、功耗也不太大。
 楼主| 发表于 2024-7-8 17:40:35 | 显示全部楼层


BraveTiger 发表于 2024-7-8 16:06
接着来填自己的抗,FVF ldo很不容易实现,至少对于180工艺来说,当重载为30mA时,功率管的输出阻抗为几十Ω ...


打错了,重载时,输出主极点非常大,看评论有朋友遇到相同的问题,路过的大佬还望不吝赐教
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